发明专利 已授权

一种离子探测器及其制备方法

📄 申请号:CN201910574230.1 📄 发布日:2026/06/10

著录项目信息

申请日
2019-06-28
公开号
CN110504178B
公开日
2021-10-12
申请人
新昌县厚泽科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

环境监测, 水质分析, 医疗检测, 工业过程控制, 科研实验

摘要

本发明属于离子检测技术领域,尤其涉及一种离子探测器,包括硅衬底(1),依次形成在硅衬底(1)上的基础绝缘层(7)、第一复合层和第二复合层;还包括第一阳极(4-1)、第二阳极(4-2),第一阴极(5-1)、第二阴极(5-2);其中,复合层由多晶硅层(3)及其上方的绝缘层(2)构成,第一复合层中的绝缘层和/或多晶硅层在远离衬底的一面的中间区域具有凹陷,所述凹陷的深度小于所述凹陷所在的绝缘层或多晶硅层的厚度;第一复合层以及第二复合层的宽度随着远离硅衬底依次减小。本发明的离子探测器,从而不仅实现离子能量检测的高分辨,也能够克服离子探测器在制备过程中遇到的“过蚀刻”和/或“接触不良”的技术问题。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20211012
✅ 授权
20191220
?? 实质审查的生效 :
20191126
📄 公开

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