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用于级联增强型GaN HEMT器件的低寄生参数封装结构及其封装方法

Name: 用于级联增强型GaN HEMT器件的低寄生参数封装结构及其封装方法
Brand: 珠海镓旦科技有限公司
SKU: 201910789929X
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910789929.X 📄 发布日：2026/09/14

著录项目信息

申请日

2019-08-26

公开号

CN110444524B

公开日

2022-11-18

申请人

珠海镓旦科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L23_49

IPC 分类号

H01L23_49 , H01L25_18 , H01L21_60 ,

技术画像

所属领域

半导体封装半导体封装功率半导体器件低寄生参数封装

应用场景

功率电子, 电源管理, 新能源汽车, 光伏逆变, 快速充电

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摘要

本发明公开了一种用于级联增强型GaN HEMT器件的低寄生参数封装结构及其封装方法，所述封装结构包括封装外壳，其中包括高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板、第四导电基板，低压增强型晶体管的源极、高压耗尽型晶体管的栅极和电压调整电路的下端被连接在一起并且被电连接到整个封装结构的源极引线，低压增强型晶体管的栅极电连接到整个封装结构的栅极引线，高压耗尽型晶体管的漏极电连接到整个封装结构的漏极引线，高压耗尽型晶体管的源极电连接到低压增强型晶体管的漏极和电压调整电路的上端。本发明所提供的级联增强型GaN HEMT器件通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种具有理线功能的配电箱

当前第 / 件

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