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级联增强型GaNHEMT功率模块封装结构及封装方法

Name: 级联增强型GaNHEMT功率模块封装结构及封装方法
Brand: 无锡派微科技有限公司
SKU: 2019107896179
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910789617.9 📄 发布日：2026/09/14

著录项目信息

申请日

2019-08-26

公开号

CN110504250A

公开日

2019-11-26

申请人

无锡派微科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L25_16

IPC 分类号

H01L25_16 , H01L23_495 , H01L21_50 , H01L21_56 , H01L21_98 , H03K17_04 , H03K17_567 ,

技术画像

所属领域

氮化镓功率器件氮化镓功率器件半导体封装功率模块封装

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 储能系统, 数据中心电源, 消费电子快充

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摘要

本发明涉及一种级联增强型GaN HEMT功率模块封装结构，包括封装外壳、金属引线框架和引脚，其封装外壳内还包括：第一级联增强型GaN HEMT器件、第二级联增强型GaN HEMT器件、第三级联增强型GaN HEMT器件、第四级联增强型GaN HEMT器件、全桥栅驱动电路；每一个级联增强型GaN HEMT器件包括：高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、基岛、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板。本发明所提供的模块通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化；另外，还增加了电压调整电路，保证其模块内部的高压耗尽型GaN器件工作在安全区域状态。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

用于级联增强型GaN HEMT器件的低寄生参数封装结构及其封装方法

当前第 / 件

新能源发电系统用高效率GaN三相逆变器模块

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