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本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种Power MOSFET和MOSFET driver结合的IC封装，包括Multi‑dies IC，所述Multi‑dies IC上封装Driver IC晶粒和Power MOSFET晶粒；本实用新型中把两种功能的晶粒在封装中做合并，就可以用一个IC的空间来做本来两个IC的功能，进而节省了系统板的面积。

本发明公开了一种用于毫米波芯片封装的类共面波导金丝键合互连结构，其包括毫米波功放芯片、散热载体和PCB共面波导，所述毫米波功放芯片共晶烧结到散热载体上，所述散热载体嵌入到腔体结构中，所述毫米波功放芯片的GSG PAD与PCB共面波导之间通过类共面波导金丝键合互连结构进行互连。本发明通过在毫米波功放芯片的GSG PAD与PCB共面波导之间设置类共面波导金丝键合互连结构进行互连，使得毫米波功放芯片的传输性能不再依赖于地平面的完整性，克服了地平面缺陷对传输性能的影响，并且与传统的印刷电路和金丝键合工艺兼容，具有结构简单、易于实现等优点，在毫米波及太赫兹频段有源器件与无源器件的互连设计中具有很好的应用前景。