发明专利已授权

一种用于半导体的微弧放电切割装置

📄 申请号：CN201810059535.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-01-22

公开号

CN108417508B

公开日

2020-12-18

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_67

IPC 分类号

H01L21_67 , H01L21_304 ,

技术画像

所属领域

切割装置半导体加工特种加工放电加工切割装置

应用场景

半导体制造, 晶圆切割, 集成电路制造, 电子器件加工

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摘要

本发明公开的一种用于半导体的微弧放电切割装置，包括底座，底座上竖直固接有长方体结构的立柱，立柱的一个侧面自上而下依次设置有驱动装置和“几”字形工作台，且“几”字形工作台的台面平行且背对于立柱侧面，立柱的侧面竖直设置有滑动机构，“几”字形工作台活动连接于滑动机构内，“几”字形工作台上固接有超声振动机构，超声振动机构下方固接有切割机构，底座上还设置有装有电解液的容器，且容器位于超声振动机构下方，容器内部设置有三角卡盘，解决了SiC单晶体在切割过程容易出现固‑液界面气泡分布不均匀的问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20201218

✅ 授权

20180911

?? 实质审查的生效：

20180817

📄 公开

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议价

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