发明专利已授权

一种高性能晶体管及其制造方法

📄 申请号：CN201811242989.1 📄 发布日：2026/07/31

著录项目信息

申请日

2018-10-24

公开号

CN109273526B

公开日

2024-06-14

申请人

江西华讯方舟智能技术有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_778

IPC 分类号

H01L29_778 , H01L23_373 , H01L21_335 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件晶体管半导体制造工艺

应用场景

集成电路, 电子设备, 功率放大, 开关电路, 射频通信

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明属于电子技术领域，公开了一种高性能晶体管及其制造方法，包括多晶衬底层、键合层、第一非掺杂GaN层、AlGaN层、源电极、漏电极以及栅电极；其中，键合层设置在多晶衬底层第一表面；第一非掺杂GaN层设置在键合层第一表面；AlGaN层设置在非掺杂GaN层第一表面；源电极和漏电极间隔设置在AlGaN层第一表面；栅极设置在AlGaN层第一表面的源电极和漏电极之间区域；由于通过键合和衬底移除技术将AlGaN/GaN器件转移到高导热多晶衬底材料上，有效提高了器件在高频应用时散热性能，从而提高器件及其应用的系统的可靠性；增加了产品的市场竞争力。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

吸波材料的贴合装置及方法

当前第 / 件

一种高速晶体管及其制造方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_778)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

¥9500.0 元

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：16 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)

一种高性能晶体管及其制造方法

著录项目信息

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_778)

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

一种集成电路导电胶膜用复合导电粒子及其制备方法

一种集成电路芯片制造用压膜装置

一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管

服务项目

资源中心

关于柿子坊