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本发明公开了一种4H‑SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管，包括依次层叠设置的P型集电极区，N型漂移区，N型的电流增强层，P型基体区，P型体接触区，N型发射区、发射极金属和集电极金属；还包括第一沟槽与第二沟槽，所述第一沟槽与第二沟槽自器件的上表面穿透P型基体区终止在N型漂移区内；所述第一沟槽内填充第一氧化层和第一多晶硅，所述第二沟槽内的第二多晶硅底部被重掺杂的P型区与N型漂移区隔开，侧面被第二氧化层与P型体接触区、P型基体区及N型漂移区隔开；所述的重掺杂屏蔽区通过第二多晶硅与发射极连接。本发明减小了4H‑SiC沟槽IGBT的栅氧底部拐角的电场强度，达到降低器件的正向导通压降以减小器件损耗的目的。

本实用新型涉及一种IGBT半导体器件，包括：发射极和栅极；设置于所述发射极的金属层。本实用新型在于IGBT发射极(E)表面蒸发金属银，可采用CLIP链接，实现IGBT发射极(E)焊接面积最大化，提升IGBT的正向浪涌能力，同时不改变栅极(G)金属结构。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

本发明公开了一种HEMT器件，通过在源极一侧设置肖特基金属和欧姆接触金属，实现HEMT单元胞集成低导通压降、低泄漏电流的反并联肖特基二极管。本发明通过肖特基金属和半导体接触的位置的特殊设计，保证了器件有源区长度不会增加，并且在器件导通时，栅极下形成的沟道将原本隔离的肖特基金属周围的有源区和欧姆接触金属电气连接起来，从而充分利用器件的有源区进行导电，保证比传统单一的HEMT的导通电阻增加的值最小。

本发明的实施例提供了一种全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。全环绕闸极垂直贯穿式晶体管包括基底、器件单元和闸极，其中，至少两个器件单元依次重叠设置在基底上，器件单元上开设有垂直于基底的过孔，过孔贯穿全部器件单元；闸极设置在过孔内、并与全部器件单元连接。这样，通过在多个重叠设置的器件单元上开设贯穿的过孔，并在过孔内一次性形成闸极，使闸极与全部器件单元连接，相当于全部器件单元共用一个闸极，或者说，闸极的某一段即可对一个器件单元进行控制，整个闸极可以控制多个器件单元，使闸极一次性形成，闸极上各个部位受到的负载相同，各个器件单元之间不会存在明显的电性差异。