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法律状态：全部已授权审中

项目申报：全部报过没有报过

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本发明公开一种碳化硅功率器件AlON/Al2O3堆叠栅介质，所述电容结构包括：SiC衬底、堆叠栅介质层和正负金属电极；在所述SiC衬底层上设有SiC外延层；所述堆叠栅介质层包括Al2O3过渡层和AlON介质层；所述SiC外延层上设有所述Al2O3过渡层，所述Al2O3过渡层上设有所述AlON介质层；所述正负电极分别从所述AlON介质层的表面和所述SiC衬底的背面连接。本发明与应用厚度为50nm的SiO2介质层的常规器件比较，可以提高栅介质的临界击穿电场，提高了器件的可靠性。

📄 2019109543523 📂 H01L29_51 👤 杭州电子科技大学 📅 2019-10-09

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一种碳化硅功率器件堆叠栅介质及制造方法

2019109543523 · 杭州电子科技大学

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