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一种FRD芯片

实用新型已授权

本实用新型公开了一种FRD芯片，包括由下至上依次设置的第一金属层、衬底、SiO2层及第二金属层，所述衬底内设置有第一P阱和第二P阱且第一P阱位于第二P阱的上方，所述第一P阱内设置有多个P型沟槽，所述P型沟槽沿衬底的上表面向下延伸，P型沟槽内填充有原位掺杂多晶硅，填充在P型沟槽内的原位掺杂多晶硅的顶面与P型沟槽的上表面齐平，所述SiO2层的中部开设有窗口，所述第一P阱和P型沟槽的上表面均与所述第二金属层相接触，所述衬底为N型硅衬底。该FRD芯片结构的反向峰值电流更小、反向恢复时间更快，同时具有良好的软度特性，并减小了电磁干扰。

📄 2021228282907 📂 H01L29_868 👤 张家港意发功率半导体有限公司 📅 2021-11-18

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一种FRD芯片

2021228282907 · 张家港意发功率半导体有限公司

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固态锂电池电解质专利包

转让方：中国科学院××研究所
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交易类型：独占许可
交易金额：¥320万

🧬

CRISPR基因编辑技术

转让方：××大学
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交易类型：转让
交易金额：¥1,200万

⚡

SiC功率器件工艺专利

转让方：××半导体有限公司
受让方：××汽车电子集团
交易类型：转让
交易金额：¥680万

☀️

钙钛矿光伏组件技术

转让方：××科技公司
受让方：××能源集团
交易类型：开放许可
交易金额：¥50万/年

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