专利交易市场

本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明公开了一种基于具有变铝组分势垒层(Al0～0.50GaN)异质结的逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管，具体结构是在GaN层上方生长一层薄的变铝组分Al0～0.50GaN层作为势垒层，AlGaN势垒层中Al摩尔分量从0％到50％渐变。薄的变铝组分AlGaN层能够减小所提出器件漏极端肖特基电极到二维电子气的距离，增加沟道二维电子气浓度，并消除AlGaN/GaN异质结处导带差，进而能够降低所提出器件的补偿电压和导通压降。同时漏极端部分的金属‑绝缘体‑半导体结构(MIS)能够有效降低器件反向漏电流，增加器件反向耐压。

本发明涉及一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ、发射极金属接触区Ⅱ和Al组分渐变区。本发明基于N+型GaN衬底材料上，采用从上至下为P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，通过较低掺杂的P+AlGaN集电极层就可以实现P+AlGaN/GaN较高的空穴注入比，同时，还在P+AlGaN/GaN异质结界面处引入x渐变的AlxGa1‑xN渐变层，以减少器件导通压降，提高器件输出电流。