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本发明涉及电子材料制备的技术领域，提供了一种石墨烯/黑磷烯复合薄膜晶体管及制备方法。该复合薄膜晶体管是通过先制备氮掺杂石墨烯及氯化重氮苯改性黑磷烯，然后将二者加入去离子水中形成分散液，再将分散液采用交流电泳法在高掺杂硅基片上的源极和漏极之间的沟道中进行沉积，经自然晾干而制得。本发明制得的石墨烯/黑磷烯复合薄膜晶体管结合了石墨烯载流子迁移率高、黑磷烯开关电流比大的优点，并且稳定性好。

本发明涉及电子显示材料的技术领域，提供了一种氧化锌/氧化镍透明薄膜晶体管及制备方法。所述透明薄膜晶体管是以高掺杂硅片为底栅极，以二氧化硅为绝缘层，以氧化锌/氧化镍复合薄膜为半导体沟道材料，以Al为源极和漏极。其中，氧化锌/氧化镍复合薄膜是以六水合硝酸锌、六水合硝酸镍、氨基酸、去离子水组成的前驱体溶液经超声喷雾热解而附着于绝缘层上的。其中，氨基酸为L‑组氨酸或L‑半胱氨酸中的一种。本发明制得的薄膜晶体管的载流子迁移率达到38cm2·V‑1·s‑1以上，并且在正栅偏压应力、负栅偏压应力、自加热应力等电应力作用下均具有良好的稳定性。

本申请提供一种1T1R阻变式存储器及其制作方法和设备，1T1R阻变式存储器包括包括：多个1T1R阻变式存储单元构成的存储单元阵列，每个1T1R阻变式存储单元包括一晶体管和一阻变器件(30)；晶体管包括沟道层(201)、与沟道层(201)绝缘的栅极层(204)以及设置在沟道层(201)上的漏极层(203)和源极层(202)，且漏极层(203)和源极层(202)在沟道层(201)上纵向分布；阻变器件(30)靠近漏极层(203)设置，本申请减少了晶体管的面积，从而使得阻变式存储器的存储密度显著提升，从而解决了现有1T1R阻变式存储器由于晶体管面积无法减小而造成存储密度受到限制的问题。

本发明公开了低功耗双层阻挡接触式双向异或非门集成电路及制造方法，通过具有双层阻挡接触式结构特征的单个晶体管即可实现集成电路的异或非门逻辑功能，简化了异或非门电路结构的复杂度，易于集成电路集成度的提升，解决了源区和漏区过短，会导致由传统MOS场效应晶体管所组成异或非门集成电路功能退化和逻辑失效等问题，并使逻辑门实现了双向传输功能，因此极大地简化了异或非门电路结构的复杂度；利用源区或漏区具有双层阻挡接触式结构特征，在源区或漏区缩减至纳米级尺寸时，结合两个栅电极的共同作用，使异或非门工作在非“1”状态时功耗显著降低，在简化异或非门电路结构的同时，确保集成电路在极端尺寸下可以高性能稳定工作。

本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。其中源电极设置在衬底上，金属氧化物沟道层设置在源电极上，漏电极设置在金属氧化物沟道层上，栅电极和栅介质层是通过原位氧化形成的，且栅电极包埋在栅介质层中，栅介质层包埋在金属氧化物沟道层中；所述的一种金属氧化物薄膜晶体管具有不少于2个栅介质层，且栅介质层与栅介质层之间相互隔开，形成载流子由下至上的多导电沟道。本发明提供的金属氧化物薄膜晶体管一方面可突破传统工艺对尺寸的限制，同时由于多沟道的并联作用，可实现低工作电压下的高输出电流。