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一种逆阻型氮化镓器件

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本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明针对常规的逆阻型AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管与传统硅CMOS工艺不兼容以及器件制备温度高等问题，本发明提出了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件。本发明所提出的逆阻型氮化镓器件具有与传统硅工艺兼容、可低温制备等优点。

📄 2017103719354 📂 H01L29_47 👤 电子科技大学 📅 2017-05-24

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一种适用于奇次倍频的二极管

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本发明公开一种适用于奇次倍频的二极管，应用于平面肖特基二极管领域，针对现有的二极管奇次倍频效率低的问题，本发明的二极管，包括：衬底，制作于衬底上的金属凸台，金属凸台上形成左右两个靠近的下侧阳极金属柱，两个下侧阳极金属柱上各覆盖一层外延层，两外延层上各设有上侧阳极金属柱；还包括两个空气桥，分别连接两个上侧阳极金属柱至衬底电路；本发明的二极管为对称结构，适合于奇次倍频；其结构简单，消除了欧姆接触，有助于简化倍频器的设计过程并提高倍频效率。

📄 2019113437245 📂 H01L29_47 👤 电子科技大学 📅 2019-12-24

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