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本发明公开了一种氧化镍/氧化镓异质结二极管及制备方法，包括位于底部的阴极电极和位于顶部的阳极电极，以及位于阴极电极和阳极电极之间的半导体层，所述半导体层由底部至顶部包括n型高掺Ga2O3衬底层、n型低掺Ga2O3外延层以及p型NiO高掺层，其特征在于：所述半导体层的圆形外壁具有70～85°的正斜面，所述n型低掺Ga2O3外延层厚度为20μm以上。

本发明公开了一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，包括衬底，衬底上依次为n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上端面覆盖有阳极，衬底下端面覆盖有阴极，n‑SiC漂移区上表面靠近阳极位置处间隔镶嵌有若干p‑NiO结区。本发明解决了现有技术中存在的SiC MPS二极管正向开启电压过高、通态电阻过大的问题。

本发明涉及一种半导体二极管器件的封装结构，属于半导体封装技术领域，所述半导体二极管器件的封装结构包括依次层叠的钢化玻璃板、树脂复合材料胶膜、半导体二极管器件层、金属‑树脂复合材料胶膜以及背板。本发明采用新型的复合材料胶膜对半导体二极管器件进行封装，提高了半导体二极管器件的使用寿命，且该封装结构具有稳定性好、性能优越、耐候性好等优点。

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种耐高压应用的台面二极管，包括电极、具有主沟槽的台面结构、覆盖在所述主沟槽的表面的钝化层，所述电极包括阴极和阳极，所述台面结构的PN结至少部分裸露于所述主沟槽的表面；其特征在于：所述台面结构还包括副沟槽，所述副沟槽设于所述主沟槽和所述阳极之间，所述钝化层由所述主沟槽的表面延伸至所述副沟槽的表面并且覆盖所述副沟槽的表面。通过采用双沟槽结构和阻断部设计，提高了台面二极管的特性和可靠性，特别是在高压应用场合下。由于采用了双沟槽结构，对沟槽的形貌的技术要求可以进一步放宽，便于大规模制造。

本发明涉及一种基于SiC衬底沟槽型MPS二极管元胞结构，属于半导体技术领域。该器件在传统MPS器件的基础上，引入沟槽SiO2介质区和P型保护环，具有优点：(1)在正向导通单极性导电模式下，沟槽SiO2介质区和P型保护环对电子具有阻挡作用，阻碍电子直接流向肖特基接触区，使得电子在P+发射区下方不断地积累，P+N‑结达到开启电压后向N‑低浓度外延层注入空穴，器件进入双极性导电模式从而有效抑制电压回跳现象，最终消除snapback效应。(2)在反向击穿时，沟槽SiO2介质区和P型保护环屏蔽肖特基结的表面电场，将表面最大电场引入体内，使器件在体内发生击穿，从而减小器件的反向漏电流。