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本发明公开了一种浅沟槽场板SiGe HBT，包括p型衬底，衬底上端设有n型埋层，埋层上端设有集电区，集电区中间隔设有浅沟槽隔离区，浅沟槽隔离区中有场板，集电区上端为p型SiGe基区，SiGe基区上设有n+多晶硅发射区，多晶硅发射区的相对两侧分别设有p+多晶硅外基区，集电区与外基区之间设有隔离氧化层，多晶硅发射区与多晶硅外基区间有侧墙，多晶硅外基区、多晶硅发射区、多晶硅发射区的引出端表面均设有硅化钛。本发明还公开了一种浅沟槽场板SiGe HBT的制作方法，本发明中的SiGe HBT能够提高器件电学性能，缓解基区扭结效应造成的器件高频应用时最大稳定增益较低的问题。

本发明涉及功率半导体技术领域，特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层，并且环上方两侧均存在多晶硅场板，由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异，因而两侧多晶硅场板在纵向上存在高度差，该交错形成的多晶硅场板结构与其下方场氧化层结构形成了具有电容作用的结构，重新分布削弱了由于总剂量辐照在右侧场板下方的电场形成的叠加作用，故而使得结终端在总剂量辐照后的耐压能力有一定提高。本发明在不增加结终端面积的前提下，提高了器件抗总剂量辐照能力，使得由于辐照引起的耐压下降减少，满足在大功率以及复杂环境应用下的需求。本发明尤其适用于功率半导体器件。

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明提供了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件，避免了高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。通过绝缘栅控制栅极下方沟道二维电子气的耗尽实现器件的开启和关断，以及基于低功函数金属与InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的原理，采用具有低功函数金属的肖特基源极接触，并通过高功函数金属形成肖特基漏极来实现器件的反向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件可以与传统的CMOS工艺兼容，同时可以在较低的温度条件制备该器件。