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本发明具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，包括SiC衬底，在SiC衬底之上依次制作有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层，其中第四外延层杂质浓度在垂直方向存在由上至下降低的分布趋势，第五外延层分为尺寸相同的多个凸台，每个凸台的侧壁为平面；还包括绝缘介质薄膜，绝缘介质薄膜覆盖在第五外延层的各个凸台侧壁、各个凸台之间的第四外延层的上表面，位于各个凸台之间的绝缘介质薄膜的高度低于凸台的上端面；在第五外延层的各个凸台上端面覆盖有阳极；在SiC衬底下端面覆盖有阴极。本发明的结构，独特新颖，可使SiC LTT的开通特性得到更好的改善。

本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管。本发明中的一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管结构，通过元胞内部引入额外的多晶硅栅极结构，进而增大器件的输入电容。本发明的有益效果为，不显著影响器件导通特性的情况下提高了阴极短路栅控晶闸管的输入电容，使脉冲放电过程中器件输入电容上的电势差减小，进而有利于避免栅介质击穿，提高器件在脉冲应用情况下的鲁棒性。

本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法，尤其是逆导型的MOS触发负阻性器件。本发明包括N型衬底，在N型衬底上表面设置有P型基区，在P型基区上表面有N型源区、PIN阳极区和N型发射区，其中N型源区是MOS管的源端、PIN阳极区是反向PIN管的阳极区、N型发射区是NPNP晶闸管的阴极区；在N型衬底下表面设置有P型阳极区，在P型阳极区7的中间位置设有N型阳极区，并且N型阳极区没有穿通P型阳极区直接和N型衬底连接，而是包含于P型阳极区内。本发明的有益效果为，具有常关功能、极高的峰值电流能力和电流上升率、反向导通能力，同时本发明还提供简单的制造方法，本发明的器件还具有较高的可靠性。

本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种碳化硅门极可关断晶闸管。本发明对常规N型碳化硅GTO的门极区进行改造，在常规的器件P-门极层13结构下增加了一层掺杂浓度比P-门极层与N-漂移区都要高的P型外延层，即(P+ gate buffer层)，由于P+门级缓冲层12的存在，一方面可以在门极区快速降低电场强度，避免器件发生串通击穿；另一方面P+门级缓冲层12的存在使得P-门极层的厚度和掺杂浓度可以明显降低，同时P+门级缓冲层12由于浓度差会形成电场，从而加速N+阴极区7电子的注入，从而获得较快的导通特性。

本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种碳化硅MOS栅控晶闸管。本发明对常规碳化硅MCT的阴极区进行改造，通过在P+场截止层下增加一层N‑IEB层，由于N型注入增强缓冲层掺杂浓度较低，提高了该区域内少数载流子寿命及迁移率，从而增大了阴极结构中的少数载流子扩散长度，进而增大了阴极注入效率。且由于在N型衬底与N型注入增强缓冲层之间由于浓度差会产生内建电场，其方向由N型衬底指向N型注入增强缓冲层，阻止少子空穴由N型注入增强缓冲层层向N型衬底扩散，从而降低少子空穴扩散电流，进而也增大了阴极注入效率。

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管。本发明主要通过改变电流流通路径，使电流绕过阴极左侧电流集中区，以此缓解器件内部的电流集中区、使电流分布更加均匀，进而提升器件的电流上升率耐量。本发明的有益效果为，提供了一种挖槽埋氧阻挡层的光控晶闸管器件设计，解决了常规光控晶闸管器件因主阴极左侧电流集中而引起的失效、不能适用于脉冲功率应用领域的问题，同时具有常规器件相同的制作工艺。它基本可以完全利用现有成熟的商用功率半导体器件制作工艺，为生产提供了有利条件。本发明尤其适用于大脉冲功率应用具有高峰值电流能力和高电流增长能力的光控晶闸管。

本实用新型涉及一种具有引导晶闸管的高频晶闸管芯片，晶闸管芯片包括阳极、硅片、第一阴极、第二阴极、第一门极和第二门极，硅片自下向上依次包括第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层，第二P型半导体层上部设有相互独立的第一N型半导体区和第二N型半导体区，第一阴极与第二门极之间串联一颗电阻，阳极与第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层、第一N型半导体区、第一门极配合形成引导晶闸管，阳极与第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体区、第二门极配合形成主晶闸管。有益效果是：本高频晶闸管芯片开通响应有效且快速，还提高触发灵敏度，降低开通损耗，提高di/dt耐量。