本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管。本发明中的一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管结构，通过元胞内部引入额外的多晶硅栅极结构，进而增大器件的输入电容。本发明的有益效果为，不显著影响器件导通特性的情况下提高了阴极短路栅控晶闸管的输入电容，使脉冲放电过程中器件输入电容上的电势差减小，进而有利于避免栅介质击穿，提高器件在脉冲应用情况下的鲁棒性。
📄 2017108453215
📂 H01L29_745
👤 电子科技大学
📅 2017-09-19
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种碳化硅门极可关断晶闸管。本发明对常规N型碳化硅GTO的门极区进行改造，在常规的器件P-门极层13结构下增加了一层掺杂浓度比P-门极层与N-漂移区都要高的P型外延层，即(P+ gate buffer层)，由于P+门级缓冲层12的存在，一方面可以在门极区快速降低电场强度，避免器件发生串通击穿；另一方面P+门级缓冲层12的存在使得P-门极层的厚度和掺杂浓度可以明显降低，同时P+门级缓冲层12由于浓度差会形成电场，从而加速N+阴极区7电子的注入，从而获得较快的导通特性。
📄 2019108420297
📂 H01L29_745
👤 电子科技大学
📅 2019-09-06
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种碳化硅MOS栅控晶闸管。本发明对常规碳化硅MCT的阴极区进行改造，通过在P+场截止层下增加一层N‑IEB层，由于N型注入增强缓冲层掺杂浓度较低，提高了该区域内少数载流子寿命及迁移率，从而增大了阴极结构中的少数载流子扩散长度，进而增大了阴极注入效率。且由于在N型衬底与N型注入增强缓冲层之间由于浓度差会产生内建电场，其方向由N型衬底指向N型注入增强缓冲层，阻止少子空穴由N型注入增强缓冲层层向N型衬底扩散，从而降低少子空穴扩散电流，进而也增大了阴极注入效率。
📄 2018113631679
📂 H01L29_745
👤 电子科技大学
📅 2018-11-15
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