实用新型已授权

一种功率半导体器件表面钝化结构

📄 申请号：CN202122837892.9 📄 发布日：2026/06/05

著录项目信息

申请日

2021-11-18

公开号

CN216389326U

公开日

2022-04-26

申请人

张家港意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L23_29

IPC 分类号

H01L23_29 , H01L23_31 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体表面钝化半导体制造工艺

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 工业控制, 光伏逆变器, 轨道交通

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摘要

本实用新型公开了一种功率半导体器件表面钝化结构，所述钝化结构包括由下至上依次叠加于硅基衬底上表面上的SiO2层、PSG层、Si3N4层及PI层。本实用新型的功率半导体器件表面钝化结构，结构简单，具有较好的绝缘性及抗蚀性，能够在承受高电压的同时保持很低的漏电流，钝化效果明显。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种FRD芯片

当前第 / 件

一种凹槽型GaN基肖特基二极管

同领域国内专利 · IPC: (H01L23_29)

H01L23_02 H01L23_04 H01L23_053 H01L23_055 H01L23_06 H01L23_10 H01L23_12 H01L23_13 H01L23_14 H01L23_15 H01L23_16 H01L23_24 H01L23_26 H01L23_29 H01L23_31 H01L23_32 H01L23_367 H01L23_373 H01L23_40 H01L23_427 H01L23_433 H01L23_467 H01L23_473 H01L23_48 H01L23_488 H01L23_49 H01L23_495 H01L23_498 H01L23_522 H01L23_525 H01L23_528 H01L23_538 H01L23_544 H01L23_552 H01L23_58 H01L23_60 H01L23_64 覆盖37个领域

议价

不含过户费

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