实用新型已授权

一种凹槽型GaN基肖特基二极管

📄 申请号：CN202122836682.8 📄 发布日：2026/06/05

著录项目信息

申请日

2021-11-18

公开号

CN216389387U

公开日

2022-04-26

申请人

张家港意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L29_872

IPC 分类号

H01L29_872 , H01L29_47 , H01L23_31 , H01L21_329 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件化合物半导体器件肖特基二极管

应用场景

电源管理, 功率转换, 高频电子设备, 新能源汽车, 5G通信

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摘要

本实用新型公开了一种凹槽型GaN基肖特基二极管，包括由下至上依次层叠设置的衬底、GaN沟道层、AlGaN势垒层及表面钝化层，还包括阳极，设置在表面钝化层上，且其底部依次穿过表面钝化层、AlGaN势垒层后与GaN沟道层相接触，所述阳极与所述GaN沟道层形成肖特基接触；阴极，设置在表面钝化层上，且围设在所述阳极的外周，所述阴极与所述阳极之间存在间距，所述阴极的底部依次穿设表面钝化层、AlGaN势垒层后与GaN沟道层相接触，所述阴极与所述GaN沟道层形成欧姆接触。该凹槽型GaN基肖特基二极管，具有较小的开启电压、较低的导通电阻和较大的正向电流。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种功率半导体器件表面钝化结构

当前第 / 件

一种IGBT半导体器件

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