实用新型已授权

一种FRD芯片

Name: 一种FRD芯片
Brand: 张家港意发功率半导体有限公司
SKU: 2021228282907
Availability: InStock

📄 申请号：CN202122828290.7 📄 发布日：2026/02/04

著录项目信息

申请日

2021-11-18

公开号

CN216389386U

公开日

2022-04-26

申请人

张家港意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L29_868

IPC 分类号

H01L29_868 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体分立器件电力电子技术

应用场景

开关电源, 逆变器, 变频器, 新能源汽车, 工业电源

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摘要

本实用新型公开了一种FRD芯片，包括由下至上依次设置的第一金属层、衬底、SiO2层及第二金属层，所述衬底内设置有第一P阱和第二P阱且第一P阱位于第二P阱的上方，所述第一P阱内设置有多个P型沟槽，所述P型沟槽沿衬底的上表面向下延伸，P型沟槽内填充有原位掺杂多晶硅，填充在P型沟槽内的原位掺杂多晶硅的顶面与P型沟槽的上表面齐平，所述SiO2层的中部开设有窗口，所述第一P阱和P型沟槽的上表面均与所述第二金属层相接触，所述衬底为N型硅衬底。该FRD芯片结构的反向峰值电流更小、反向恢复时间更快，同时具有良好的软度特性，并减小了电磁干扰。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN216389386U

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种GaN基肖特基二极管

当前第 / 件

一种功率半导体器件表面钝化结构

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_868)

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