发明专利已授权

一种Te/PbTe异质结纳米薄膜的制备方法

📄 申请号：CN201710105242.0 📄 发布日：2026/04/16

著录项目信息

申请日

2017-02-26

公开号

CN106935513B

公开日

2019-08-13

申请人

桂林理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_368

IPC 分类号

H01L21_368 , H01L21_38 , H01L21_02 , H01L21_66 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料半导体材料薄膜制备技术

应用场景

热电转换, 温差发电, 红外探测, 光电探测

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摘要

本发明公开了一种Te/PbTe异质结纳米薄膜的制备方法。利用电沉积的方法将PbTe沉积在电极表面，形成一种载体薄膜，把电极浸入0.1mol/L的NaNO3溶液中，再利用电化学方法氧化电极，最后取出电极，电极上就氧化出Te/PbTe异质结纳米薄膜。本发明方法制备过程非常高效简单，且所制得的Te/PbTe异质结纳米薄膜相比PbTe纳米薄膜具有更高的光电转换效率，成本低廉，易于大规模推广生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种制备金-硫化银-磷酸铅异质结纳米薄膜的方法

当前第 / 件

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