发明专利已授权

一种晶体二极管的制造工艺

📄 申请号：CN201510418282.1 📄 发布日：2026/06/26

著录项目信息

申请日

2015-07-16

公开号

CN105097504A

公开日

2015-11-25

申请人

四川蓝彩电子科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_329

IPC 分类号

H01L21_329 , H01L21_60 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件半导体工艺二极管制造

应用场景

电子设备, 电源整流, 信号处理, 电路保护, 通信系统

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摘要

本发明涉及一种晶体二极管的制造工艺，包括以下步骤：S1、晶片切割；S2、晶片装配：将晶片引线置于引线轨道上，将每块晶片依次抓取放在晶片引线内，将晶片引线通过分段机分割成216～360粒产品的晶片引线段，并依次装在引线盒内；S3、焊线：将装有晶片引线段的引线盒移至焊线机工作台上，调节焊线机的功率为30～50mW，压力为250～350mN，温度为240～320℃，将引线盒内的每一块晶片引线段放在焊线机上进行焊线，得到有引脚的晶片；S4、注塑；S5、电镀；S6、分离；S7、测试；S8、上带：将测试合格的晶体二极管用装带机构装载于条带状的载带上，并通过进行塑封，得到产品。本发明的优点在于：制造过程中转运方便、提高产品质量和便于分类运输或储存。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20180810

✅ 授权

20151223

?? 实质审查的生效：

20151125

📄 公开

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议价

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