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发明专利
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一种导电柱的激光形成方法
📄 申请号:CN202110058795.1
📄 发布日:2026/03/05
著录项目信息
申请日
2021-01-19
公开号
CN112735957A
公开日
2021-04-30
申请人
福唐激光(苏州)科技有限公司
法律状态
授权未缴费
专利类型
发明
主分类号
H01L21_60
IPC 分类号
H01L21_60
技术画像
所属领域
激光加工
激光加工
半导体封装
微电子制造
应用场景
半导体封装, 电子器件制造, 集成电路互连, 三维封装
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摘要
本发明提供了一种导电柱的激光形成方法,其利用激光对导电柱的第二端进行局部退火工艺,以形成具有保形功能和防止漏电功能的金属硅化物层,然后再进行刻蚀形成露头结构。后续在导电柱的第二端形成焊球时,该金属硅化物的硅材料进入焊球中可以保证焊球的接合可靠性且能够抑制氧化。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
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