已授权

光电二极管的制备方法、光电二极管和CMOS图像传感器

📄 申请号：CN201980000504.4 📄 发布日：2026/07/13

著录项目信息

申请日

2019-03-21

公开号

CN110088917B

公开日

2022-07-08

申请人

武汉迅知云科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

主分类号

H01L31_18

IPC 分类号

H01L31_18 , H01L31_0352 , H01L31_101 , H01L27_146 ,

技术画像

所属领域

光电二极管光电二极管 CMOS图像传感器半导体器件制备

应用场景

图像传感, 数码相机, 安防监控, 医疗影像, 自动驾驶视觉

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摘要

本发明提供一种光电二极管的制备方法、光电二极管和CMOS图像传感器，该方法包括：在衬底上形成遮蔽层，衬底具有第一掺杂类型，衬底上设置有预设位置，第一掺杂类型和第二掺杂类型不同；对遮蔽层进行处理，使预设位置上方的遮蔽层的厚度小于非预设位置上方的遮蔽层的厚度；对衬底进行离子注入，使注入的离子形成下表面为曲面的且具有第二掺杂类型的区域，以增加衬底与区域的接触面积；去除遮蔽层，得到光电二极管。本申请增加了具有第一掺杂类型的衬底与具有第二掺杂类型的区域的接触面积，提高了满阱容量。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250613

?? 专利权的转移：

20220708

✅ 授权

20190827

?? 实质审查的生效：

20190802

📄 公开

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：15 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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