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本发明公开了一种n‑Si/CdSSe叠层太阳电池，包括由上至下依次叠置的CdSSe薄膜顶电池、隧穿层和晶体硅底电池，所述隧穿层为单层或双层氧化物结构，所述单层氧化物结构材质为SnO2或In2O3，所述双层氧化物结构的上层材质为SnO2或In2O3，所述双层氧化物的下层材质为Al2O3或SiO2。本发明还公开了这种n‑Si/CdSSe叠层太阳电池的制备方法。该n‑Si/CdSSe叠层太阳电池可减少两电池界面处电流复合损失，并保证顶电池在厚度比较薄的情况下的电流输出。

📄 2016110464285 📂 H01L31_078 👤 常熟理工学院; 苏州腾晖光伏技术有限公司 📅 2016-11-23

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一种n-Si/CdSSe叠层太阳电池及其制备方法

2016110464285 · 常熟理工学院; 苏州腾晖光伏技术有限公司

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