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本发明公开了一种基于CuO/Se复合材料薄膜的太阳能电池，将低熔点(为221℃)、强光敏性的Se引入CuO，并通过低温退火(Se的熔点附近)，使Se熔化，利用熔化的Se对CuO的浸润来消除或减少CuO膜中的空洞和悬挂键等缺陷，从而得到一种结晶性良好的CuO/Se复合材料薄膜，以该薄膜作为太阳能电池的p型材料层，制作太阳能电池。该太阳能电池结合了CuO对光强吸收、带隙合适，Se的熔点低、适合低温制备和处理且具有强的光敏性的优点，克服了CuO熔点高且高温分解，Se带隙过大(约1.8eV)的缺点，显著提高了电池效率。

本发明公开一种基于二硫化铼/二硒化钨(ReS2/WSe2)异质结的光电器件及制备方法，属于材料应用技术领域。本发明包括：P型硅衬底、二氧化硅绝缘层、单层ReS2和WSe2构成的异质结、漏极和源极；所述的源极、漏极、单层ReS2和WSe2均位于二氧化硅/硅(SiO2/Si)衬底上，其中Si为栅极。本发明还公开了一种简易地制备上述光电器件的方法。该光电探测器件实现了宽的势垒区和抑制了ReS2中的缺陷态对探测器的影响，提高了探测器的响应时间。

本发明涉及纳米材料领域，具体涉及一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结及其制备方法。本发明给出的Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结中，位于顶端Si2Te3纳米圆锥长度为10um；主干Si2Te3/Si纳米线直径为300nm；长度为50um，制备方法为：将碲粉和硅粉置入陶瓷坩埚中，将陶瓷坩埚放入石英管炉中，再将含有金颗粒的二氧化硅/硅衬底放置在石英管炉内下游地方，将石英管炉抽真空至<0.1mTorr，并用氮气冲洗,直至将空气排除干净，再调节石英管炉中的真空度和载气流量，并将炉在20℃min‑1下加热至850℃，并保持3‑5分钟，最后将衬底迅速冷却至室温，即可制备出Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结。本发明制备所得的Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结兼具了Si2Te3纳米线特性和Si纳米线特性，且制备工艺简单可控，重复性好。

本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种高性能的光电探测器制备方法，在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片，利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极，然后旋涂CsPbBr3纳米晶体，退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性，同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合，改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力，从而提高光电探测器的性能。