专利交易市场

本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法，包括自下而上设置的基底、第二吸收有源区、光传输波导区和第一吸收有源区；第一吸收有源区中横向依次设置第一P++掺杂区、第一P+掺杂区、第一本征I区、第一N+掺杂区以及第一N++掺杂区，第一P++掺杂区与第一金属电极电性连接；第二吸收有源区中横向依次设置第二P++掺杂区、第二P+掺杂区、第二本征I区、第二N+掺杂区以及第二N++掺杂区，第二P++掺杂区与第二金属电极电性连接；第一与第二N++掺杂区通过金属通孔电性连接。本光电探测器具有两个不同的光吸收区，能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度较高，光‑电响应带宽较大。

本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法，形成于基底上水平方向依次设置的第一吸收有源区、第一光传输波导区、第二光传输波导区和第二吸收有源区；第一吸收有源区中，第一P+掺杂区与第一N+掺杂区之间通过所述第一本征I区电性连接；第二吸收有源区中，第二P+掺杂区与第二N+掺杂区之间通过第二本征I区电性连接；其中，第一N+掺杂区与第二N+掺杂区电性连接；第一P++掺杂区上设置有第一金属电极，第二P++掺杂区上设置有第二金属电极。本光电探测器具有两个不同的光吸收区，能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度较高，光‑电响应带宽较大。

本发明公开了一种极化增强窄带AlGaN p‑i‑n型紫外探测器，其结构自下而上依次包括：衬底层、模板层、光学过滤层、掺杂层、过渡层、吸收层、极化调制层、欧姆接触层、钝化层；其特征在于：所述模板层为非故意掺杂的AlN，所述光学过滤层为Al组分为0.45的n型重掺杂的AlGaN，所述掺杂层为Al组分为0.35的n型重掺杂的AlGaN，所述过渡层为Al组分渐变的n型AlGaN，所述吸收层为Al组分为0.3的非故意掺杂AlGaN，所述极化调制层为Al组分为0.15的p型AlGaN。还公开了其制备方法。本发明通过异质结构进行光学探测窗口设计，并引入极化效应，可以实现响应信号在300‑320nm范围内、半峰宽(FWHM)为8nm的窄带探测。