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发明已授权

本发明涉及对于氧化镓纳米晶薄膜在日盲紫外光电探测方面的应用，具体涉及一种氧化镓纳米晶薄膜日盲紫外探测器及其制备方法。本发明采用单晶Si作为衬底，并采用电子束蒸发技术，在其上先沉积SiO2薄膜隔离层；然后再沉积Ga2O3薄膜日盲紫外吸收层，经过退火处理使吸收层形成纳米晶结构；再通过电子束蒸发及快速热处理技术将Au/Ti双层金属叉指电极制备于吸收层上，即可得到成本低廉、工艺要求简单、重复性好、可大规模制造且具有良好光电响应的日盲紫外光探测器件。

📄 2019108843200 📂 H01L31_102 👤 西安工业大学 📅 2019-09-19

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一种InGaN基探测器

实用新型已授权

本实用新型公开了一种InGaN基探测器，通过在衬底和InGaN纳米柱之间设置III‑VI族化合物薄膜的功能层，其中，III‑VI族化合物薄膜具有高载流子迁移率的优点，提升了InGaN基探测器在紫外波段的光吸收能力，从而提升了InGaN基探测器的性能；同时，III‑VI族化合物薄膜调控了衬底和InGaN纳米柱的异质结界面势垒，优化了InGaN异质结的界面接触以及能带结构，促进了InGaN基探测器中光生载流子的快速分离，从而进一步提升了InGaN基探测器的性能。本实用新型可广泛应用于半导体技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

📄 2022225052753 📂 H01L31_102 👤 河源市众拓光电科技有限公司 📅 2022-09-21

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一种氧化镓纳米晶薄膜日盲紫外探测器及其制备方法

一种InGaN基探测器

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