本发明揭示了一种中红外光探测器及其制备方法，该光探测器包括单晶硅衬底、绝缘层、连续的石墨烯层、量子点层以及覆盖量子点上的纳米光栅接触电极；所述单晶硅衬底、绝缘层、连续的石墨烯层、量子点层以及覆盖量子点上的纳米光栅接触电极均布设在一PVC衬底基片上。该器件由周期性的纳米光栅阵列构成，其对入射光束的耦合作用可以有效地改善石墨烯光电探测器件弱光吸收的缺点，且制备得到的光电探测器对中红外波段的光谱有明显的吸收，有较高的光响应率。
📄 2019102557385
📂 H01L31_0352
👤 南京邮电大学
📅 2019-04-01
本发明提供一种硅系太阳能电池表面结构包括在硅系太阳能电池表面上形成的凹坑和坐落在凹坑内的金属颗粒。还提供采用本发明所述表面结构的一种量子效率高的硅系太阳能电池，以及一种操作简单，成本低廉能够制备该硅系太阳能电池的方法，包括如下步骤：制备反应溶液，制备金属颗粒，刻蚀得到如本发明所述的硅系太阳能电池。还提供一种硅系太阳能电池的制备装置，包括用于加热硅系太阳能电池片的加热装置，用于将反应溶液喷涂到被加热硅系太阳能电池片上的喷涂装置，用于容纳刻蚀液的容纳装置。本发明是通过内部坐落金属颗粒的凹坑改变硅系太阳能电池表面的织态结构，产生协同作用，当光线照射到金属颗粒时产生表面等离子体共振效应，提高转换效率。
📄 201410182303X
📂 H01L31_0352
👤 陕西师范大学
📅 2014-04-30
本发明一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述电池包括依次层叠的ITO层、a‑Si p层、a‑Si i层、基底、a‑Si i层、a‑Si n层和ITO层，以及在ITO层和a‑Si p层间插入高掺杂的a‑Si p+层，或在ITO层和a‑Si n层间插入高掺杂的a‑Si n+层。所述方法将基底在等离子增强化学气相沉积设备中，分步进行异质结太阳能电池的a‑Si i层、a‑Si n层和a‑Si p层沉积；在电池的a‑Si p/ITO层界面或a‑Si n/ITO层界面中沉积高掺杂的a‑Si p+层或高掺杂的a‑Si n+；最后沉积ITO电极得到硅基异质结太阳能电池。
📄 2016107853682
📂 H01L31_0352
👤 陕西师范大学
📅 2016-08-30
本发明请求保护一种采用p+n阱型二极管结构，同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管光电探测效率；采用合适的光窗口面积和过偏压，以获得较高的光电探测效率；通过调节其他的工艺和结构参数，可对器件的光电探测效率进行进一步的优化设计。扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性影响较大，保护环宽度在0.8‑1.5μm时，器件的击穿特性较好；确定好器件的探测效率和击穿电压后，通过对器件的参数进行进一步的优化设计，可以得到较好的频率响应特性。单光子雪崩二极管器件扩散n阱保护环宽度为1μm时，雪崩击穿电压为13.2V。窗口面积直径为20μm，过偏压为1V最大探测效率高达37％；窗口面积直径为10μm，过偏压为1V时最大探测效率高达52％，过偏压为2V时最大探测效率高达55％。
📄 201710058637X
📂 H01L31_0352
👤 江苏冉洋芯电子科技有限公司
📅 2017-01-23
本发明公开一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池，包括一衬底；衬底上依次设有GaN层和n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上面的一侧有一低于n型掺杂GaN层的上表面的台面，n型掺杂GaN层上依次层叠设有AlGaN势垒层Ⅰ、超晶格层、非故意掺杂GaN缓冲层、量子阱吸收层、AlGaN势垒层Ⅱ和p型掺杂GaN层，p型掺杂GaN层上设有多个p型电极，p型电极之间通过透明电极层连接；n型掺杂GaN层的台面设有n型电极。本发明通过在多量子阱两边插入AlGaN层，有效增强了多量子阱界面陡峭性，提高了界面质量，光电转换效率达到1.432％，相比传统太阳能电池提高了138.7％,具有美好的应用前景。
📄 2019106216731
📂 H01L31_0352
👤 陕西科技大学
📅 2019-07-10
本发明公开了一种碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明采用多步外延加离子注入掺杂方法在N+衬底上形成交替的N柱区和P柱区，N柱区和P柱区构成的“超结”结构能够形成空间电荷区，能显著改善传统单一外延层电场的非均匀分布，可使整个外延层范围内的纵向电场则呈现非常均匀的分布。均匀的外延层纵向电场分布能使探测器在更低的衬底工作偏压下实现灵敏区的全耗尽，可有效降低SiC微沟槽中子探测器的全耗尽工作电压，进而降低后端供电电路研发成本并，同时提高探测器和后端电路的工作可靠性。
📄 2022104062302
📂 H01L31_0352
👤 杭州电子科技大学
📅 2022-04-18
本发明公开了一种NP层交替外延的碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明结构采用多次外延法在N+衬底上依次交替制作N型层和P型层。首先在N+衬底上外延第一层N型层，之后在第一层N型层上外延第一层P型层，之后在第一层P型层外延层上外延第二层N型层，之后在第二层N型层外延层上外延第二层P型层，直到外延最后一层为N型层为止。如果外延的N型层一共有M层，则外延的P型层一共有M‑1层，总的外延层数为2M‑1层。每个N型层与每个P型层的厚度、掺杂浓度完全相同。本发明在外延层内部形成“锯齿形”的纵向电场分布，该电场分布更加均匀，使探测器在更低的衬底偏压下实现外延层的全耗尽，从而有效降低SiC微沟槽中子探测器的工作电压。
📄 202210406250X
📂 H01L31_0352
👤 杭州电子科技大学
📅 2022-04-18
一种新型电容式光电探测器，涉及光电探测器领域。包括：第一电极板、第二电极板和光吸收部。光吸收部设于第一电极板和第二电极板之间，第一电极板和第二电极板二者同光吸收部之间均具有间隙。光吸收部包括至少两组光电效应单元，光电效应单元由能够独立发挥光电效应的材料制成。其结构简单，具有更高的效应速率，有助于提升系统的整体灵敏度。
📄 2020105747632
📂 H01L31_0352
👤 三明学院
📅 2020-06-22
本发明公开了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法，所述日盲紫外探测器包括ZnS量子点‑碳量子点混合层。其制备方法是先分别制备ZnS量子点溶液和碳量子点溶液，然后将其按一定比例混合后通过印刷、滴涂或旋涂的方式在印有金属电极的基底上制成ZnS量子点‑碳量子点混合层。本发明解决了基于ZnS量子点的日盲紫外探测器中，由于ZnS量子点载流子迁移率低而导致器件光电流、响应度和探测度偏低的问题，提供了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法，利用碳量子点作为载流子传输层，可以极大程度的提高探测器的光响应电流，从而提高响应度，达到提高器件性能的目的。
📄 2018103476003
📂 H01L31_0352
👤 南京信息工程大学
📅 2018-04-18
本发明公开了一种砷化镓量子环红外光电探测器及其制造方案，属于红外光电探测器领域。砷化镓量子环红外光电探测器，包括衬底层（1）、生长在衬底层（1）上的砷化镓缓冲层（2），还包括在砷化镓缓冲层（2）上依次生长的砷化镓接触层（3）、砷化镓铝底部间隔层（4）、量子环结构层（5）；所述量子环结构层（5）至少有2层，层叠在一起。本发明通过使器件在外延生长过程中在砷化镓铝势垒材料中生长出三维结构的砷化镓量子环，避免了晶格失配应力，从而可以通过增加量子结构的叠层数来提高探测器有源区的光吸收，增加红外光电探测器的探测效率。
📄 2013103222112
📂 H01L31_0352
👤 电子科技大学
📅 2013-07-30
本发明公开了一种硒化物纳米棒、其制备方法及其制备的光电探测器，属于纳米半导体的制备领域。包括如下步骤：将KOH、SeO2粉、AgNO3和In(NO3)3溶解于非配位溶剂和少量的乙二胺中，在惰性气体保护下，温度为200～240℃，并剧烈搅拌，保温12～24小时，制备得到硒化物纳米棒。碱在熔融状态下的其氢氧根离子分离成和，然后在非配位溶剂的稀释下，降低其粘度提高其流动性，在熔融碱的这样的碱性环境中In2Se3形成纤锌矿结构的晶核，最后通过乙二胺分子在反应混合物中对晶面的竞争性吸附，诱导生长方向，促使In2Se3晶核继续吸附和少量的和各向异性生长。解决了在实际使用过程中，本征电导率过低，导致探测器的光谱响应度和外量子效率较低的问题。
📄 2019107022945
📂 H01L31_0352
👤 南京倍格电子科技有限公司
📅 2019-07-31
一种新型侧向pn结光电探测器，涉及光电探测器领域。新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1：2.7900～2.8400。其结构简单，能够有效改善运行过程中的响应度，提高运行带宽，而且还能够提升运行过程中的稳定性和精确度，对于提升系统整体的运转效率、运转效能具有积极意义。
📄 2020105758463
📂 H01L31_0352
👤 三明学院
📅 2020-06-22
柿子坊 · 知识产权运营
柿子坊知识产权运营平台