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本发明提供一种基于亚波长光栅的谐振增强型紫外光探测器及制备方法，该紫外光探测器包括衬底、亚波长光栅层、外延层，所述外延层上设有n型接触电极和p型接触电极，所述亚波长光栅层图案为周期性或非周期性光栅图案；利用蓝宝石材料具有较大折射率的特点，获得与CMOS工艺兼容的纳米尺度高折射率差的亚波长光栅；在宽光谱范围内实现高量子效率：利用亚波长光栅的宽光谱光反射特性，使入射光通过吸收区后被亚波长光栅反射，再次通过器件吸收区，实现吸收增强，提高器件的量子效率，同时获得覆盖光纤通信长波长低损耗窗口的宽光谱响应(大于400nm)；并且本发明器件及其制备过程成本低，工艺简单，易于实现。

本发明公开了一种光电探测器、具有记忆功能的运算处理器及制备方法。所述光电探测器从下到上依次包括衬底层、光响应层、电极层；所述光响应层为富含缺陷的MoxWySz合金薄膜；所述MoxWySz合金薄膜以氯化钠促融制备。本发明通过将光响应层设置为富含缺陷的过渡金属硫化物MoxWySz合金薄膜，从而使得光电探测器具有持续光电导效应；通过设置比较器模块，使得图像逻辑运算处理器单元能够执行逻辑运算。所述限域倾斜CVD法中的NaCl能够促进MoS2和WS2的融合，从而生长富含缺陷的过渡金属硫化物MoxWySz合金薄膜，该薄膜中的缺陷可以束缚光生载流子，从而阻碍光生载流子的复合。

本发明属于深紫外探测领域，涉及日盲紫外探测器，具体提供一种基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法。本发明采用叉指电极设置于衬底上、非晶Ga2O3薄膜层直接覆盖衬底与电极上的新型结构，相比于非晶Ga2O3薄膜层设置于衬底上、叉指电极设置于非晶Ga2O3薄膜层上的现有结构，本发明能够消除器件后制作过程中a‑Ga2O3薄膜污染的可能性，改善了材料的界面态，最大程度降低了界面处产生缺陷从而影响器件性能；并且维持了较好的表面形貌，避免光刻胶对材料光学性能产生不利影响；同时，反式结构有利于电荷的短距离传输，避免电荷在传输过程中造成的损耗，提升了器件的响应时间。综上，本发明的提供了一种兼具高响应度与快速响应时间的非晶Ga2O3日盲紫外探测器。

本发明公开了一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指以c面蓝宝石单晶为衬底，采用磁控溅射生长沿着晶面择优生长的Zn掺杂β‑Ga2O3薄膜(Zn:Ga2O3)作为光吸收层，并在其上溅射Au/Ti叉指电极作为光生载流子的收集电极，制备获得的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器。本发明通过Zn掺杂提高了Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器的光响应速度，采用在Ga2O3靶材起辉圈周围放置特定数量的Zn颗粒生长特定浓度Zn:Ga2O3薄膜，方法简单。本发明采用商业化的制备方法磁控溅射生长薄膜，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。该发明制备的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。

本发明属于光电探测技术领域，具体为一种基于新型空穴传输层的光电探测器及其制备方法，所述探测器包括透明导电基底层(1)、新型空穴传输层(2)、探测光敏层(3)、电子传输层(4)和反射电极层(5)，其特征在于：所述新型空穴传输层(2)为四层结构，包括第一介质层(201)、第二介质层(202)、第三纳米金属层(203)和第四介质层(204)，且所述第一介质层(201)层叠在透明导电基底层(1)之上，所述第二介质层(202)层叠在第一介质层(201)之上，所述第三纳米金属层(203)层叠在第二介质层(202)之上，所述第四介质层(204)层叠在第三纳米金属层(203)之上。