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本发明涉及一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构，包括基底、柱状固体介质阵列结构和孔状非极性AlxGa1‑xN层。本发明可显著降低非极性AlGaN面内应力，从而达到大幅度减弱非极性AlGaN产生位错的根源，实现非极性AlGaN位错密度的有效降低和晶体质量的有效提高。还可以适应非极性AlGaN在不同Al组分条件下应力各向异性的变化，最大限度上解决非极性AlGaN因存在的面内应力各向异性导致的问题。使用该复合结构可进一步生长高质量的非极性AlGaN基薄膜，广泛应用于非极性AlGaN基紫外、深紫外发光器件以及紫外、日盲探测器件的制备，并可显著提高制备器件的性能、稳定性及寿命。