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本发明公开了一种四元共蒸AIGS薄膜，包括玻璃基底、沉积在玻璃基底上的金属Mo背电极以及共蒸在Mo背电极上的吸收层；所述吸收层为一步法四元共蒸Ag、In、Ga、Se形成的AIGS薄膜层。本发明还公开了四元共蒸AIGS薄膜的制备方法以及AIGS薄膜太阳能电池。采用一步法，通过控制蒸发源材料蒸气压对薄膜的生长过程进行精确的控制，提高效率和薄膜的均匀性。

本发明公开了一种透明柔性的宽光谱光电转换结构及制作方法，该宽光谱光电转换结构包括基底、下电极、光敏层、上电极以及保护层；下电极覆盖在基底的上表面，光敏层覆盖在下电极的上表面，上电极覆盖在光敏层的上表面，保护层覆盖在上电极的上表面，构成多层复合结构；采用透明柔性材料制作基底和保护层，以导电纳米线网格制作下电极和上电极，以宽光谱光电转换材料制作光敏层；下电极、上电极和光敏层的薄膜构成宽光谱光电转换结构，该宽光谱光电转换结构具有良好的透光性和柔韧性，可在一定范围内承受弯折、扭转等变形，并具有优良的耐冲击性能，与柔性电路集成后，可以在曲面上安装，在冲击载荷条件下使用。可满足吸收转换一部分光能，又能透过一部分光能的应用需求。