本发明公开了一种CuGaSe2基太阳电池，包括：衬底；Mo背电极，形成在衬底上；CuGaSe2吸收层，形成在Mo背电极上，配置为响应于太阳光而产生光生载流子；Ga2Se3缓冲层，形成在CuGaSe2吸收层上；其中，Ga2Se3缓冲层的导带底的位置高于CuGaSe2吸收层的导带底的位置，以使Ga2Se3缓冲层与CuGaSe2吸收层异质结界面处形成spike结构；透明导电层，形成在Ga2Se3缓冲层上，配置为传导由CuGaSe2吸收层产生的光生载流子；前电极，形成在透明导电层上，配置为接收光生载流子；其中，Ga2Se3缓冲层配置为减小CuGaSe2吸收层和透明导电层之间的能带失调值和晶格失配度。本发明还公开了一种上述的CuGaSe2基太阳电池的制备方法。
📄 202210855553X
📂 H01L31_032
👤 盐城工学院
📅 2022-07-20
本发明提供一种钙钛矿吸光层材料及方法，其包括CsSnI3钙钛矿材料，并且还包含有增强材料，增强材料为石墨烯和SnF2的掺杂物。在制备方法中，在石墨烯片上通过浸渍法负载得到有SnF2的石墨烯片；通过真空热蒸发沉积的方式制得负载CsI薄膜的二次基片，然后以CsI薄膜为基础再次沉积得到SnI2薄膜负载的结构；以得到具有掺杂SnF2石墨烯片的CsSnI3钙钛矿薄膜材料通过石墨烯和SnF2的掺杂物的加入，使得CsSnI3钙钛矿材料转换效率得到了明显的提升，并且这种转换效率高于单独的CsSnI3钙钛矿材料和掺杂SnF2的CsSnI3钙钛矿材料；另外，这种材料中不使用对于环境具有破坏作用的铅元素，极大地提高了这种材料的安全性和环境保护作用，具有很好的应用价值。
📄 2021106637969
📂 H01L31_032
👤 青岛科技大学
📅 2021-06-16
本发明公开了一种获得平整、均匀、致密钙钛矿薄膜的方法，本发明先采用旋涂法制备CsPbBr3钙钛矿薄膜，将制备CsPbBr3钙钛矿薄膜放入压印腔内的样品台，压印降温得到钙钛矿薄膜；本发明使旋涂法制备的各种组份的钙钛矿薄膜在不改变晶相结构的前提下显著提高平整度、均匀度、致密度等方面有较大的提高。
📄 2021107344467
📂 H01L31_032
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-06-30
本发明公开了一种三维纳米结构阵列、制备方法及其应用，所述的三维纳米结构阵列是由规则排列的半导体纳米线阵列及在其上辐射状生长的半导体纳米线阵列构成。本发明制得的三维纳米结构阵列中辐射状生长的纳米线直径较小，长度和密度较大，大大增加了材料的比表面积，从而增大了三维纳米结构阵列的对光的吸收面积，使其对光的吸收较一维纳米阵列有明显的增强；同时由于规则排列的纳米线外侧，细小纳米线的辐射状生长，且辐射状生长的纳米线的密度较大，使得从各个角度入射的光线都能够得到很好的吸收，降低了三维纳米结构阵列对光线入射角度的敏感性，在光伏领域应用时可以避免不断随光照角度变化而改变太阳能电池角度，导致成本增加的问题。
📄 2017102380704
📂 H01L31_032
👤 商丘师范学院
📅 2017-04-13
本发明公开了一种Cu3Sb(S，Se)4薄膜及其制备方法、应用，原料为含铜化合物、含锑化合物、含硫化合物，由所述原料与溶剂混合固化后，经硒化处理所得。本发明根据铜锑硫前驱体溶液的优点，制备出的薄膜元素可控，而且能够制备出带隙在一定范围内可控的铜锑硫薄膜；采用半密闭空间的双温区硒化技术，实现了Cu3Sb(S，Se)4薄膜的带隙可调。
📄 2019104373916
📂 H01L31_032
👤 西安湄南生物科技股份有限公司
📅 2019-05-23
一种基于层状材料异质结的光电探测器，包括在衬底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，底面反射电极层，所述电极层置于所述衬底绝缘层上；异质结包括n‑型二维层状薄膜材料薄膜，p‑型二维层状薄膜材料薄膜层在上述n‑型二维层状薄膜材料薄膜层上，上述二维层状异质结置于所述底电极层上，其中异质结结区与底面反射电极层重合且紧密接触；顶电极层，所述顶电极层设置在所述p‑n结上方p‑型二维材料的一侧或部分区域；透明顶栅绝缘层，所述透明顶栅绝缘层覆盖在整个异质结器件正上方，透明顶栅绝缘层包括高介电材料如二氧化铪和PMMA；所述的透明顶栅电极设置在p‑n结正上方，包含石墨烯、ITO等透明材料。
📄 2021104002913
📂 H01L31_032
👤 安徽大学
📅 2021-04-14
本发明公开了一种电网电晕监测器及其制备方法，包括FTO衬底，所述FTO衬底的至少一侧具有氟掺杂氧化锡层，所述氟掺杂氧化锡层上生长有GaOOH纳米柱阵列，所述GaOOH纳米柱阵列经退火后形成α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列，所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列上设置有Ti3C2/Ag纳米线复合层，所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上设置有Ag电极，所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上的Ti3C2层与所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列之间形成Ti3C2/α/β‑Ga2O3纳米柱阵列范德瓦尔斯异质结，具有三维空间异质结界面结构和日盲特性，具有优异的化学和热稳定性，耐压强，工作温度和功耗低，重复性良好，是一个具有超高响应度的自供电电网电晕监测器，可定向识别波长位于日盲波段的200‑280nm的紫外光。
📄 2022103912808
📂 H01L31_032
👤 浙江理工大学
📅 2022-04-14
本发明公开了一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器及制备方法，所述探测器依次包括蓝宝石衬底，置于蓝宝石衬底上方的β‑Ga2O3光吸收层，置于β‑Ga2O3光吸收层上方的SSO层，置于SSO层上方的第一测试电极以及置于β‑Ga2O3光吸收层上方的第二测试电极；其中于β‑Ga2O3光吸收层与SSO层，形成β‑Ga2O3/SSO异质结，构成内界电场，以分离光生载流子。所制备的氧化镓基紫外探测器性能稳定，灵敏度高，响应速度快，具有自供电性能可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测，在高压电晕检测领域具有很大的应用前景。
📄 2022103499317
📂 H01L31_032
👤 浙江理工大学
📅 2022-04-02
本发明公开了一种基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，衬底材料上形成Ga2O3/CuI异质PN结，所述Ga2O3/CuI异质PN结包括设置在衬底材料上的N型Ga2O3层以及设置在该Ga2O3层部分区域上的P型CuI层；在所述CuI层上形成正极，在所述Ga2O3层的另外区域上形成负极；当一定波长的紫外光照射所述Ga2O3/CuI异质PN结时，所述正极和负极之间将会产生光生载流子，以此实现紫外探测。采用本发明的技术方案，具有如下优点：(1)结构简单，工艺成本低。(2)Ga2O3和CuI同为宽禁带半导体，所以该器件为日光盲紫外探测器，无需加滤光片。(3)光生空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。
📄 2020102164340
📂 H01L31_032
👤 杭州电子科技大学
📅 2020-03-25
本发明公开了基于Mg掺杂硫化锑的薄膜太阳能电池，从下至上依次包括透明导电衬底、电子传输层、吸光层和金属电极，吸光层为Mg掺杂硫化锑薄膜；还公开了制备方法，包括：①清洗氧化物透明导电衬底并烘干；②电子传输层的制备；③吸光层的制备：将含Mg元素的硫化锑前驱体溶液旋涂于电子传输层上，加热生成Mg掺杂硫化锑；重复旋涂与加热反应步骤调节Mg掺杂硫化锑薄膜厚度；在惰性气体环境下退火使Mg掺杂硫化锑薄膜结晶得无机吸光层；④电极的制备。本发明的薄膜太阳能电池吸光性好、电池短路电流高、设备转化效率明显改善，Mg掺杂使薄膜更光滑、均匀、致密，减少载流子的复合；本发明的方法原料和工艺简单、设备要求低。
📄 201910863823X
📂 H01L31_032
👤 湖南知名未来科技有限公司
📅 2019-09-12
本发明公开了一种复合吸光层太阳能电池及其制备方法，复合吸光层太阳能电池包括从下至上依次设置的透明导电衬底、透明电子传输层、复合吸光层和碳电极层，复合吸光层由从下至上依次设置的CsPbBr3钙钛矿薄膜层和CsPbBr3量子点薄膜层构成。制备方法包括在透明导电衬底上依次制备透明电子传输层、CsPbBr3钙钛矿薄膜层、CsPbBr3量子点薄膜层、碳电极层，CsPbBr3量子点是以Cs2C2O4为铯源制备得到。本发明的复合吸光层太阳能电池同时提高了短路电流密度、开路电压、填充因子和光电转换效率，使电池的综合性能明显提升。
📄 2019113963486
📂 H01L31_032
👤 长沙理工大学
📅 2019-12-30
本发明公开了一种二维硫化铼光电探测器及制备方法，至少包括衬底层以及在所述衬底层形成的绝缘层，所述绝缘层上设置二维硫化铼层，并设置与所述二维硫化铼层相连接的电极作为源极和漏极，所述二维硫化铼层上通过掺杂形成四氰二甲基对苯醌层。本发明通过大分子F4‑TCNQ对ReS2进行表面修饰调控其性能，得到多种性能组合的ReS2光电探测器，包括高响应度和高灵敏的ReS2光电探测器。
📄 2021110510570
📂 H01L31_032
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-09-08
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