本实用新型属于柔性电池技术领域，尤其为一种高机械性能的柔性电池电极结构，包括柔性电池主体、正电极、负电极，正电极、负电极安装在柔性电池主体的一端，正电极外侧包覆有外护层，正电极包括第一连接端、第二连接端，第一连接端上设置有电极组合件，电极组合件一端设置有凸出端，凸出端两侧设置有转动连接端，电极组合件另一端开设有缺口，缺口内侧开设有转动槽。本实用新型通过第一连接端、电极组合件、凸出端、第二连接端、缺口、转动槽、转动连接端，正电极、负电极可进行上下的折弯，且不会产生损坏，避免因折弯过多造成的断裂，正电极、负电极整体的机械强度得到提升且外护层可保障整体的正电极、负电极不受外界环境因素影响。
📄 2023212440030
📂 H01L31_0224
👤 深圳市创合源科技有限公司
📅 2023-05-22
本实用新型提供了一种二维位置分辨硅探测器，包括基底，正面阴极环嵌入于基底正面，正面阴极环上方镀有正面铝层；阳极嵌入于基底反面，阳极远离基底的一面镀有反面铝层；二氧化硅层填充于正面铝层之间以及反面铝层之间；所述正面铝层上设置有正面探测信号输出点；所述反面铝层上设置有反面探测信号输出点。解决了现有技术中存在的探测信号引出点多，封装工作量和难度大，产品合格率低等问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2022211367724
📂 H01L31_0224
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2022-05-11
本实用新型公开了一种螺旋线性硅漂移探测器，所述探测器包括长方体状的硅基底，硅基底顶面相对的两边缘处均设有收集阳极，收集阳极间设有链条状的正面漂移阴极，正面漂移阴极呈S形排布在硅基底上，硅基底底部设有反面漂移阴极，反面漂移阴极和收集阳极上附着有铝层，硅基底和正面漂移阴极顶部设有二氧化硅层，正面漂移阴极两端和中间的二氧化硅层被刻蚀掉，其上附有铝层；本实用新型能够自主分压，使用方便，有效探测面积较大，电荷收集效率、能量分辨率和灵敏度较好。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2021221535168
📂 H01L31_0224
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2021-09-07
本发明公开了一种S形硅漂移探测器及其设计方法，所述探测器包括长方体状的硅基底，硅基底顶面相对的两边缘处均设有收集阳极，收集阳极间设有链条状的正面漂移阴极，正面漂移阴极呈S形排布在硅基底上，硅基底底部设有反面漂移阴极，反面漂移阴极和收集阳极上附着有铝层，硅基底和正面漂移阴极顶部设有二氧化硅层，正面漂移阴极两端和中间的二氧化硅层被刻蚀掉，其上附有铝层；本发明能够自主分压，使用方便，有效探测面积较大，电荷收集效率、能量分辨率和灵敏度较好。
📄 202111043437X
📂 H01L31_0224
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2021-09-07
本发明公开了三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米网格薄膜的方法，在基底上表面加工出三维微结构，将导电纳米线加入不导电分散剂中充分混合形成分散液，将所得基底上表面向上置于分散液中并缓慢向上提拉，在提拉过程中，分散液中的导电纳米线靠近基底上表面的三维微结构表面，并被该表面的静电荷吸附而附着在该表面，随着提拉距离增加，三维微结构表面导电纳米线逐渐积累，相互搭接形成网格薄膜；该网格薄膜厚度达到要求后从分散液中取出基底，并用激光焊接方式增强导电纳米线之间的连接力以及导电纳米线和三维微结构表面的附着力；所得网格的网孔可以透光，而构成网格导电纳米线可以形成电通路，即实现三维微结构表面透明导电纳米网格薄膜的制备。
📄 2019102757841
📂 H01L31_0224
👤 西安工业大学
📅 2019-04-08
本发明公开了一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，包括一衬底，衬底上依次设有GaN层和n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上一侧有一台面，n型掺杂GaN层上表面依次设有超晶格层、非掺杂GaN缓冲层、非掺杂InGaN/GaN多量子阱层、GaN势垒层、AlInGaN势垒层和p型掺杂GaN层，p型掺杂GaN层上设有多个p型电极，p型电极之间通过透明电极层连接；n型掺杂GaN层台面上设有n型电极。本发明通过在外延p‑GaN之前插入一层AllnGaN层来对改进p‑GaN结构，使该层结构具有较好的晶格匹配和较低的热膨胀系数，空穴载流子的输运效率提高，光电转化率达到1.96％。
📄 2019106207643
📂 H01L31_0224
👤 陕西科技大学
📅 2019-07-10
本发明属于透光电极技术领域，具体涉及一种光转换功能的柔性纳米纤维膜透光电极及其制备方法和应用。其中，柔性纳米纤维膜透光电极，包括聚合物纳米纤维膜，聚合物纳米纤维膜中的纳米纤维内嵌稀土纳米颗粒，聚合物纳米纤维膜的表面负载金属纳米颗粒。本发明的柔性纳米纤维膜透光电极具柔韧性、导电、光转换、透光和质轻的特点，在柔性可穿戴光电器件中的应用潜力巨大。
📄 2021105207751
📂 H01L31_0224
👤 浙江理工大学
📅 2021-05-13
本申请提供了一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构，包括衬底，衬底上依次设有缓冲层、吸收层，吸收层上设有光栅型叉指电极；光栅型叉指电极为周期栅型分列金属纳米电极，周期栅型分列金属纳米电极中每一个叉指由平行且均匀分布的10—100个光栅金属条构成；本实用新型提供了一种易于制作、简单的一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构，通过使电极处金属结构进行光栅结构化，从而克服电极挡光的问题，而且可以利用等离子激元作用增加探测器的响应度。
📄 2021229496602
📂 H01L31_0224
👤 天津赛米卡尔科技有限公司
📅 2021-11-29
已申报项目
本发明公开了一种金属箔片表面金属掺杂的氧化锌复合电极薄膜。是在金属箔片上利用双层辉光等离子物理溅射沉积技术一步来实现金属箔片/ZnO薄膜电极的制备。具体是将金属箔片作为基片丙酮清洗，高压氮气烘干处理；高纯低熔点金属Zn靶作为ZnO的金属元素溅射源，用丙酮进行清洗，同时通入氩气和氧气作为金属氧化物的合成气氛条件；将预处理好的基片和靶材样品放入双层辉光等离子溅射腔室内，同步实现基体金属元素在氧化物薄膜中的掺杂而形成的氧化物复合薄膜。
📄 2017112052570
📂 H01L31_0224
👤 至信搏远(安徽)新材料科技有限公司
📅 2017-11-27
本发明公开了一种利用MXene‑GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，解决了现有技术中的MSM型光电探测器暗电流大、响应度低的问题，本发明的光电探测器包括生长基底，所述生长基底为图形化蓝宝石衬底结构，所述生长基底表面上由下至上连接有GaN薄膜层、n型GaN薄膜层、GaN‑InGaN组合层和MXene材料层。本发明将MXene材料与图形化蓝宝石衬底相结合降低了暗电流、提高了响应度，可用于水下光学检测和水下通信等领域。
📄 2021103402054
📂 H01L31_0224
👤 电子科技大学
📅 2021-03-30
本发明提供了一种具有密封点的半导体封装结构的制造方法，具体涉及太阳能电池封装结构的制造方法，包括：提供硅片，具有有源的正面和与正面相对的背面并经过减薄；形成通孔，所述通孔贯穿所述正面与背面；在所述正面沉积阵列排布的正面接触点以及在所述背面沉积阵列排布的正面电极和背面电极；点胶形成阵列排布的背面碗形密封点，形成于所述正面电极和背面电极上，并完全包覆所述正面电极和背面电极；压合背面透明粘结胶，覆盖所述硅片的背面，并包覆所述背面碗形密封点；背面封装板，粘结于所述正面透明粘结胶上；打磨所述透明粘结胶形成平整的表面。
📄 2017104966575
📂 H01L31_0224
👤 南通华隆微电子股份有限公司
📅 2017-06-26
已申报项目
本发明提供了一种叠加式金属网格型透明电极的制备方法，首先通过磁控溅射镀膜仪在衬底表面溅射一层金属，然后利用激光束按照EZCAD绘制的阵列在金属/衬底表面进行去除，最后用吸耳球吹去表层的飞溅物，即可得到叠加式金属网格型透明电极。本发明操作简单，对设备无特殊要求，制备成本低。
📄 2017112759416
📂 H01L31_0224
👤 江苏大学
📅 2017-12-06
柿子坊 · 知识产权运营
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