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本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种具有深N+空穴电流阻挡层的光控晶闸管。本发明的一种具有深N+空穴电流阻挡层的光控晶闸管设计示例，通过改变空穴电流流通路径，使空穴电流绕过阴极左侧电流集中区，来缓解器件内部的电流集中区、使电流分布更加均匀，进而提升器件的耐电流上升率。另外，本发明的深N+空穴电流阻挡层由于自身的优点，可以根据元胞的具体设计方案进行调整。本发明的有益效果为，提供了一种深N+阻挡层的LTT器件设计，解决了常规的LTT器件因主阴极左侧区电流集中而引起的失效问题，同时具有常规器件相同的制作工艺。本发明尤其适用于大脉冲功率应用具有高峰值电流能力和高电流增长能力的光控晶闸管。

本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种高di/dt光控晶闸管版图设计方法。本发明主要包括：将阴极金属电极和光栅窗口按并行交替排列的方式设置于版图中心，该交替排列区域的左右两侧均为光栅窗口；采用边缘阴极电极将阴极金属电极和光栅窗口包围，边缘阴极电极作为阴极金属电极打线处；在边缘阴极电极外围与芯片边缘之间环绕多层结终端区。本发明的有益效果为，提供了具有高峰值电流能力和高电流增长能力的LTT器件栅阴极交叉的版图规划，解决了传统的LTT器件不能很好适应于脉冲功率应用领域的问题；同时具有传统器件相同的制作工艺。它基本可以完全利用现有成熟的商用LTT制作工艺，为商用生产提供了有利条件。