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发明专利
已授权
雪崩光电二极管及其模组的感性冲击雪崩耐受测试方法
📄 申请号:CN202610464238.2
📄 发布日:2026/08/11
著录项目信息
申请日
2026-04-09
公开号
CN122525323A
公开日
2026-08-07
申请人
龙岩学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G01R31_26
IPC 分类号
G01R31_26
技术画像
所属领域
雪崩光电二极管
雪崩光电二极管
光电器件
半导体器件测试
应用场景
光通信, 激光雷达, 光纤传感, 量子通信, 光电探测
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摘要
本发明公开了雪崩光电二极管及其模组的感性冲击雪崩耐受测试方法,利用微亨级电感产生的反冲电压,通过对待测对象的电源输入端注入感性冲击能量,强制待测对象进入超过其击穿电压的深度雪崩状态;在所述深度雪崩状态的持续时间内,同步触发高速相机采集待测对象的瞬态电致发光光强分布图像,并同步记录电学波形;通过并联于待测对象的钳位保护电路提供过压保护。本发明解决了现有光电器件的静态测试方法无法模拟动态感性浪涌、传统功率器件UIS测试能量过大导致微小光电器件烧毁、现有手段无法对模组内部失效点进行可视化定位、依赖人工进行失效分析无法适应大规模量产筛选等技术难题。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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