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本发明公开了一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管的日盲紫外探测器及制作方法，探测器包括漏极、源极、第一半导体层、第二半导体层、位于第一和第二半导体界面处的二维电子气、衬底及缓冲层、TiO2悬浮栅极以及Ti金属层，其中，第一半导体层的下表面设置第二半导体层；第二半导体层的下方设置衬底及缓冲层；TiO2悬浮栅极位于第一半导体层的上表面，且处于所述源极和漏极之间；源极和漏极位于第一半导体层的上表面的两侧；源极和漏极与第一半导体形成欧姆接触；第一半导体层和第二半导体层之间形成异质结沟道，并由于极化作用产生高密度的二维电子气。本发明的紫外探测器具有高灵敏度的紫外探测性能，响应快、制作方法简单、稳定性好。

本发明公开了一种大动态响应范围紫外光电探测器，包括光电导区，光电导区的上端依次设有Si富集层和栅调制区，栅调制区的两端均设有隔离区和阴极；光电导区的下端设有光入射区，光入射区的中部被开设在光电导区底部中心处的凹槽断开，凹槽相对两侧的光入射区为n型重掺杂GaN光入射区，n型重掺杂GaN光入射区的两端分别设有阳极。本发明还公开了一种大动态响应范围紫外光电探测器的制作方法，本发明提供的该紫外光电探测器能实现强弱光快速转换场景下的高频探测。