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本实用新型提供了一种扇形硅漂移探测器，包括基底，基底的上表面为收集面，基底的下表面为入射面；收集面的中心是收集阳极，以收集阳极为中心向外依次设置有收集面漂浮阴极环、收集面内环加压环，收集面内环加压环、收集阳极、收集面漂浮阴极环之间同心；收集面内环加压环外围设置有扇形单元，扇形单元之间设有表面电子排出通道；扇形单元外侧设置有环形保护阳极；入射面包括入射面窗口、入射面阴极加压环和入射面保护环，入射面阴极加压环内部为入射窗口，入射面阴极加压环外侧为入射面保护环。解决了现有技术中存在的表面漏电流会被阳极收集、对于不同角度的扇形结构无法实现拼接等问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

本实用新型提供了一种多段式阳极等间距分布的硅漂移室探测器，包括高阻硅衬底，中心收集阳极嵌入于高阻硅衬底正面中心，由中心收集阳极向外依次等间距分布有中间位置收集阳极环、最外收集阳极环；阴极环位于中心收集阳极与最外收集阳极环之间且中间位置收集阳极环将阴极环分隔为内外两部分；中心阳极保护环位于中心收集阳极外和最内圈的阴极环之间，正面保护环位于最外收集阳极环外；中心阳极保护环和正面保护环均环绕中心收集阳极同心分布；高阻硅衬底反面为粒子入射窗口。本实用新型探测器的电子漂移路径短，探测器电容小，具有较高的电子收集效率，能够达到最佳分辨率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

本发明提供了一种扇形硅漂移探测器，包括基底，基底的上表面为收集面，基底的下表面为入射面；收集面的中心是收集阳极，以收集阳极为中心向外依次设置有收集面漂浮阴极环、收集面内环加压环，收集面内环加压环、收集阳极、收集面漂浮阴极环之间同心；收集面内环加压环外围设置有扇形单元，扇形单元之间设有表面电子排出通道；扇形单元外侧设置有环形保护阳极；入射面包括入射面窗口、入射面阴极加压环和入射面保护环，入射面阴极加压环内部为入射窗口，入射面阴极加压环外侧为入射面保护环。解决了现有技术中存在的表面漏电流会被阳极收集、对于不同角度的扇形结构无法实现拼接等问题。本发明还提供了一种扇形硅漂移探测器的制备方法。

本发明一种基于钙钛矿材料的X射线探测器及其制备方法，所述方法包括：步骤1，按照摩尔比为3：2称取AI和BI3原料，溶于有机溶剂中，得到混合前驱体液；其中，AI为CsI，CH3NH3I或RbI；BI3为BiI3或SbI3；步骤2，将混合前驱体液密封，加热到60-100℃，保持2～48小时，使其达到充分的溶解平衡后取上清液，得到前驱体的完全饱和溶液；步骤3，将前驱体的完全饱和溶液置于比步骤2中加热终止温度低的环境温度下，以小于5℃/day的速度逐渐升温，直至晶体析出，温度继续增加最多10℃后停止升温，得到A3B2I9钙钛矿单晶；步骤4，将单晶晶体取出并烘干；步骤5，在单晶晶体表面蒸镀叉指金属电极。

一种适用于高温环境的X射线探测器及其制备方法，采用A3Bi2X9型全无机铋基卤素钙钛矿单晶材料作为探测X射线的活性层，其中，A为Cs+和Rb+中的一种；X为I-，Br-和Cl-中的一种或者多种混合；工作温度为50-150℃。制备方法包括如下步骤，步骤1，将A3Bi2X9型全无机铋基卤素钙钛矿单晶切割成需要的尺寸，其中，A为Cs+和Rb+中的一种；X为I-，Br-和Cl-中的一种或者多种混合；步骤2，将切割后的A3Bi2X9型钙钛矿单晶进行清洗和表面抛光处理；步骤3，在步骤2得到的A3Bi2X9型钙钛矿单晶两端蒸镀金属电极，得到金属电极、A3Bi2X9型钙钛矿单晶和金属电极层叠的X射线探测器。A3Bi2X9型全无机铋基卤素钙钛矿单晶作为适用于高温环境的X射线探测器的活性层，高温环境的温度为50-150℃。

本发明公开了一种全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器及制备方法，依次在处理好的FTO导电玻璃衬底上旋涂TiO2溶胶前驱体，得到致密的TiO2电子传输层；然后利用溶液法生长微米级的CsPbIxCl3‑x钙钛矿纳米线，并制备光电探测器。器件结构自上而下包括玻璃衬底、FTO电极、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和电极。本发明基于CsPbIxCl3‑x纳米线碳基钙钛矿光电探测器同时具有高灵敏度，快速响应和良好的稳定性，在300～520nm范围内具皮秒级的暗电流和0.2A/W的优异光电探测度。