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| 专利/申请号： | CN201980000391.8 | 专利名称： | 1T1R阻变式存储器及其制作方法、晶体管和设备 |
| 申请日： | 2019-03-08 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 地址： | ||
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/786 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 13 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
应用场景：高密度数据存储系统;嵌入式非易失性内存应用;低功耗电子设备;先进封装集成方案;人工智能加速器中的存算一体架构
摘 要：本申请提供一种1T1R阻变式存储器及其制作方法和设备，1T1R阻变式存储器包括包括：多个1T1R阻变式存储单元构成的存储单元阵列，每个1T1R阻变式存储单元包括一晶体管和一阻变器件(30)；晶体管包括沟道层(201)、与沟道层(201)绝缘的栅极层(204)以及设置在沟道层(201)上的漏极层(203)和源极层(202)，且漏极层(203)和源极层(202)在沟道层(201)上纵向分布；阻变器件(30)靠近漏极层(203)设置，本申请减少了晶体管的面积，从而使得阻变式存储器的存储密度显著提升，从而解决了现有1T1R阻变式存储器由于晶体管面积无法减小而造成存储密度受到限制的问题。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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