已授权

1T1R阻变式存储器及其制作方法、晶体管和设备

📄 申请号：CN201980000391.8 📄 发布日：2026/07/13

著录项目信息

申请日

2019-03-08

公开号

CN111919304B

公开日

2021-11-02

申请人

武汉迅知云科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

主分类号

H01L29_786

IPC 分类号

H01L29_786

技术画像

所属领域

阻变存储器阻变存储器半导体存储器件存储器制造工艺

应用场景

消费电子, 数据中心, 嵌入式存储, 人工智能芯片, 物联网

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摘要

本申请提供一种1T1R阻变式存储器及其制作方法和设备，1T1R阻变式存储器包括包括：多个1T1R阻变式存储单元构成的存储单元阵列，每个1T1R阻变式存储单元包括一晶体管和一阻变器件(30)；晶体管包括沟道层(201)、与沟道层(201)绝缘的栅极层(204)以及设置在沟道层(201)上的漏极层(203)和源极层(202)，且漏极层(203)和源极层(202)在沟道层(201)上纵向分布；阻变器件(30)靠近漏极层(203)设置，本申请减少了晶体管的面积，从而使得阻变式存储器的存储密度显著提升，从而解决了现有1T1R阻变式存储器由于晶体管面积无法减小而造成存储密度受到限制的问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250617

?? 专利权的转移：

20211102

✅ 授权

20201127

?? 实质审查的生效：

20201110

📄 公开

电容器及其制作方法

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：27 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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