本发明实施例提供一种谐振增强型光探测器及其制备方法，谐振增强型光探测器包括：由下至上依次形成的第一亚波长光栅层、衬底、第一接触层、吸收层、第二接触层、光栅间隔层以及第二亚波长光栅层，所述第一接触层和所述第二接触层上分别形成有n型接触电极和p型接触电极。该光探测器具有高量子效率、高响应带宽、偏振敏感、可实现角度偏转、制作工艺简单的优点。
📄 2020106191224
📂 H01L31_0232
👤 聊城大学
📅 2020-06-30
本发明公开了一种宽带热电子光探测器件及其制备方法，该光探测器件包括衬底，其特征在于：所述衬底表面依次设置有布拉格光栅、氮化钛薄膜层、金属氧化物层、透明电极和减反射层；其制备方法包括以上各层的制备步骤。本发明的宽带热电子光探测器件及其制备方法具有响应度高、入射光损耗低、工艺简单和普适性强的特点。
📄 2021110541808
📂 H01L31_0232
👤 广东石油化工学院
📅 2021-09-09
一种新型光电微环及新型光电探测器，涉及光电探测器领域。新型光电微环包括光导部和光吸收段。光导部延伸呈环状。光吸收段同光导部贴合，并沿光导部的延伸方向设置。光吸收段由光电效应材料制成，且光吸收段的长度为其中倏逝波耦合的周期长度的0.9n～1.1n倍。其中，n为正整数。其结构简单、设计巧妙，能够有效地提高对光场的响应度和灵敏度，对于进一步提高光电探测器的响应度和灵敏度具有积极意义。新型光电探测器采用上述新型光电微环，其具有更高的响应度和灵敏度，对于进一步提升光纤通信系统的整体效率具有积极意义。
📄 2020105749286
📂 H01L31_0232
👤 三明学院
📅 2020-06-22
本发明公开了一种带有模式选择结构的光电探测器及光子芯片，涉及集成光学技术领域，其技术方案要点是：包括依次连接的入射波导、模斑转换器、探测部分；模斑转换器，用于保持多种模式的光耦合进入探测部分；探测部分，自下而上依次包括衬底层、模式选择结构、吸收层和电极层；模式选择结构，位于衬底层的表面，用于使多种模式的光依次耦合到吸收层，模式选择结构的折射率小于衬底层的折射率及吸收层的折射率，模式选择结构靠近入射波导一侧的端面的宽度大于模式选择结构远离入射波导一侧的端面的宽度，模式选择结构的宽度逐渐减小。其特点是将不同模式的光依次耦合进吸收层，提高吸收层光场均匀性和器件的线性度，同时保证器件具有较高的带宽。
📄 202311047239X
📂 H01L31_0232
👤 无锡芯光互连技术研究院有限公司
📅 2023-08-21
本发明公开了一种光电探测器、光电探测器芯片以及硅基光子芯片，该光电探测器包括：间隔预设距离的第一波导和第二波导；第二波导的形状为环形；衬底层，用于进行掺杂；第一掺杂区，在衬底层的设定区域通过掺杂形成；环形光吸收层，位于第一掺杂区的表面同时位于第二波导的内壁远离第二波导的外壁的一侧，部分环形光吸收层与第二波导的内壁存在间隙且其他部分环形光吸收层与第二波导的内壁共用至少一个切面；环形光吸收层的折射率大于第二波导的折射率以及空气的折射率；环形光吸收层用于接收第二波导传输的光信号。本发明可以提高光电探测器的线性度，也可以降低光电探测器的寄生参数，提高了光电探测器的带宽。
📄 2023107564220
📂 H01L31_0232
👤 无锡芯光互连技术研究院有限公司
📅 2023-06-25
本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有多端口光波导的低维材料异质结光电探测器的制备方法，制备的光电探测器中：路由光波导和多端口光波导均形成于衬底上，多端口光波导由N≥4个锥形输入光波导和一个中心多模光波导组成；1×2第一光分束器设置在路由光波导的光耦合输入端，每两个锥形输入光波导的输入端连接一个分别与1×2第一光分束器连接的1×2第二光分束器；低维材料异质结薄膜覆盖在多端口光波导的表面，在其两端、中心多模光波导的四周还分别对角覆盖第一、第二正电极和第一、第二负电极；低维材料异质结薄膜与中心多模光波导的传输方向垂直设置。本探测器能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度较高，光‑电响应带宽较大。
📄 2021104014855
📂 H01L31_0232
👤 淮阴工学院
📅 2020-01-17
本发明公开的基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关，包括有屏蔽盒，屏蔽盒内部设置有多通道导电开关单元，屏蔽盒顶部的开口处设置有位相型触发光栅系统，位相型触发光栅系统位于多通道导电开关单元上方。该多通道砷化镓光电导开关，能够降低开关的暗态电流，抑制表面闪络的发生，提升开关的耐压能力。
📄 2022106524503
📂 H01L31_0232
👤 内江师范学院
📅 2022-06-08
本发明提供一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器，包括：衬底层，所述衬底层是SOI；硅光波导层，形成于所述衬底层上；光栅层，形成与所述衬底层上，并与所述硅光波导层耦合连接；其中，所述光栅层包括本征区以及位于所述本征区两侧的P型区和N型区；电极，包括阳极和阴极；其中，所述阳极设置于所述N型区，所述阴极设置于所述P型区。本发明通过表面光栅结构较直波导结构增加了表面区域，从而有效增加了吸收面积，进而提高了响应度；光栅结构形成谐振腔，使光能量较好的限制在光栅结构内部，被多次吸收。
📄 2020109978566
📂 H01L31_0232
👤 三明学院
📅 2020-09-21
本发明提供了一种基于石墨烯的光电探测器，包括：氧化物衬底层；硅波导层，形成于所述氧化物衬底层上；其中，所述硅波导层包括矩形硅波导以及微环形硅波导，所述微环形硅波导设置于所述矩形硅波导的第一侧，并与所述矩形硅波导形成微环谐振腔结构；石墨烯层，设置于所述硅波导层上，并覆盖所述矩形硅波导以及所述微环形硅波导；第一金属电极，设置于所述硅波导层的覆盖有所述石墨烯层的一侧，并位于所述石墨烯层上；第二金属电极，设置于所述硅波导层的未设置有所述石墨烯层的另一侧。本发明能在不延长吸收长度以及不影响带宽的前提下提高光电探测器的响应度。
📄 2019106141059
📂 H01L31_0232
👤 三明学院
📅 2019-07-09
本发明公开了一种基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备。其中，所述硅基锗光电探测器包括光波导层、硅氧化层、锗氧化层、第一电极、第二电极、第三电极，该第一电极与该第二电极之间形成的电场用于对第一耦合区域的其中一束光进行耦合，该第三电极与该第二电极之间形成的电场用于对第二耦合区域的其中另一束光进行耦合，使该两束光经分别耦合后呈现出强弱相互叠加的态势。通过上述方式，能够实现硅基锗光电探测器能对入射光经功率分束后的两束光进行耦合，使该两束光经分别耦合后呈现出强弱相互叠加的态势，从而使硅基锗光电探测器中的光场分布更加均匀，提高硅基锗光电探测器的带宽、饱和特征以及可靠性。
📄 2018113199948
📂 H01L31_0232
👤 三明学院
📅 2018-11-07
本发明提供一种补偿反射镜集成的全反射式单行载流子光电二极管，所述器件通过引入全反射镜和补偿反射镜结构，使得入射光信号斜入射在二极管表面的部分反射信号光在引入的新反射镜表面能够重新反射回二极管本体内，增大效率，且入射光信号斜入射部分在二极管表面斜入射进而增加光在吸收层的传播长度，在保持器件的高速、高饱和输出的前提下进一步提升量子效率。此外，所述器件在收集层和接触层中间插入P型掺杂薄层进行电场优化，使器件可以在更高的工作电压下进行正常工作，高的工作电压可以应对高光强造成的空间电荷效应，对其进行补偿，使得器件在更高的光强下依然保有高的响应速度。
📄 2020111793271
📂 H01L31_0232
👤 中国计量大学
📅 2020-10-29
本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有多端口光波导的低维材料异质结光电探测器及其制备方法，包括：路由光波导和多端口光波导均形成于衬底上，多端口光波导由N≥4个锥形输入光波导和一个中心多模光波导组成；1×2第一光分束器设置在路由光波导的光耦合输入端，每两个锥形输入光波导的输入端连接一个分别与1×2第一光分束器连接的1×2第二光分束器；低维材料异质结薄膜覆盖在多端口光波导的表面，在其两端、中心多模光波导的四周还分别对角覆盖有第一、第二正电极以及第一、第二负电极；低维材料异质结薄膜与中心多模光波导的传输方向垂直设置。本探测器能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度较高，光-电响应带宽较大。
📄 2020100551334
📂 H01L31_0232
👤 淮阴工学院
📅 2020-01-17
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