本发明公开了一种透红外的高灵敏可见光探测器及其制备方法，该探测器由钝化层、上电极、异质结、下电极和本征单晶硅衬底组成。上电极为导电且对可见光和红外透明的材料。异质结分为异质结上层和异质结下层，异质结上层为对可见光敏感且能透过红外的纳米薄膜，异质结下层为本征单晶硅。当可见光和红外透过上电极和异质结上层，在异质结中可见光激发出电子空穴对，被上、下电极收集并通过纵向设置的金属柱流出，而红外穿过整个探测结构，实现对可见光探测的同时不影响红外的透过。与传统结构相比，电极与结区距离很小，可降低电子空穴对在到达电极之前的复合率，提高光生载流子的收集效率。纵向金属的结构设计减少光遮挡，提高了灵敏度。
📄 2019100856819
📂 H01L31_109
👤 西安工业大学
📅 2019-01-29
本发明公开了一种基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括PMMA透光保护层、石墨烯透明上电极、包覆少层PtSe2的硅纳米柱阵列结构体、石墨烯透明上电极和硅纳米柱阵列结构体的金属电极。制备方法为：CVD法制备石墨烯；干法刻蚀制备硅纳米柱阵列结构体；激光干涉增强诱导CVD在硅纳米柱阵列结构体表面包覆少层PtSe2；制备石墨烯透明上电极；磁控溅射镀制金属电极。本发明制备的光电探测器可以实现可见光到近红外波段的探测功能，硅纳米柱阵列结构体增强了探测器对光线的吸收作用，使得该探测器具有灵敏度高，器件结构简单，实用性强的优点。同时，制备方法可以提高器件性能，具有较高的推广价值。
📄 2021100624946
📂 H01L31_109
👤 西安工业大学
📅 2021-01-18
一种基于非对称势垒能带结构的宽谱响应红外探测器，是超低暗电流垂直范德华异质结宽谱响应红外探测器，结构如下：衬底绝缘层(1)，底面反射电极层(3)，n‑型二维层状半导体薄膜层即吸收层(5)，调控层(7)为带隙可调二维薄膜材料层，宽带隙型二维薄膜材料层即势垒层(6)，接触层(8)为n‑型二维层状材料，与吸收层导电类型相同；顶栅电极层(9)和顶电极层(4)；所述顶电极层设置在所述异质结上方接触层的一侧或一周；所述顶栅电极层设置在所述异质结势垒层的正上方。通过改变照射光波长和功率，获得不同波段的探测灵敏度。改变光偏振模式在磁性材料铁磁转变温度以下测试偏振灵敏光响应、光电流成像以观测红外光探测性能。
📄 2022107851451
📂 H01L31_109
👤 安徽大学
📅 2022-07-04
本发明涉及光电探测器技术领域，具体公开了一种垂直型锗硅光电探测器及其制备方法，包括：硅衬底，以及依次形成在硅衬底上的氧化层、波导层、锗层和电极层；所述波导层包括轻掺杂区域和位于轻掺杂区域两侧的重掺杂区域，所述锗层形成在所述波导层的轻掺杂区域上，所述重掺杂区域的离子掺杂浓度大于所述轻掺杂区域的离子掺杂浓度；刻蚀结构，形成在所述波导层的轻掺杂区域；所述刻蚀结构的厚度等于所述波导层的厚度，且所述刻蚀结构的等效长度小于锗层的长度。本发明提供的垂直型锗硅光电探测器能够有效提升探测器的带宽。
📄 2023115120984
📂 H01L31_109
👤 无锡芯光互连技术研究院有限公司
📅 2023-11-14
本公开提供了一种异质结红外光电传感器及其制备方法，采用基于Cu/SnSe/Ge/In‑Ga的异质结的光电传感器；将SnSe/Ge的异质结作为光吸收活性层，在SnSe/Ge的异质结的界面处形成电场；将Cu的微栅格结构作为顶电极，与SnSe的晶体薄膜形成欧姆接触；将In‑Ga合金或In的晶体薄膜作为底电极，与Ge的晶体基片形成欧姆接触。在红外光的照射下实现红外光学信号到电学信号的转换，实现对红外光的快速识别，同时，能够感知微弱的光信号，解决目前红外传感器件普遍存在的较小光电流和较大暗电流的难题，进而提高了红外传感器识别的灵敏度和探测度。
📄 2021107796661
📂 H01L31_109
👤 山东师范大学
📅 2021-07-09
本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有波导的低维材料异质结光电探测器的制备方法，制备的光电探测器包括：衬底（1），形成于衬底（1）上的光波导（2），设置在光波导（2）的光耦合输入端（3）的1×2光分束器（4），覆盖在光波导（2）表面上的低维材料异质结薄膜（5），在低维材料异质结薄膜（5）两端、光波导（2）两侧还分别覆盖正电极（6）和负电极（7）；低维材料异质结薄膜（5）与光波导（2）的传输方向垂直设置；在光波导（2）与低维材料异质结薄膜（5）的相互作用区，光波导（2）为两个锥型波导结构相对设置的结构。通过本方法制备的光电探测器能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度较高，光‑电响应带宽较大。
📄 2021104020930
📂 H01L31_109
👤 淮阴工学院
📅 2020-01-17
本发明涉及一种紫外探测器，具体是指一种基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法。本发明是通过激光分子束外延技术在n型6H‑SiC衬底上沉积一层β‑Ga2O3薄膜，然后利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在n型6H‑SiC衬底和β‑Ga2O3薄膜上沉积一层Ti/Au薄膜作为电极使用。本发明的优点是：所制备的日盲型紫外探测器性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有好的潜在应用；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好，且重复测试具有可恢复性等特点，具有很大的应用前景。
📄 2016101570707
📂 H01L31_109
👤 浙江理工大学
📅 2016-03-18
本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有波导的低维材料异质结光电探测器，包括：衬底（1），形成于衬底（1）上的光波导（2），设置在光波导（2）的光耦合输入端（3）的1×2光分束器（4），覆盖在光波导（2）表面上的低维材料异质结薄膜（5），在低维材料异质结薄膜（5）两端、光波导（2）两侧还分别覆盖正电极（6）和负电极（7）；低维材料异质结薄膜（5）与光波导（2）的传输方向垂直设置；在光波导（2）与低维材料异质结薄膜（5）的相互作用区，光波导（2）为两个锥型波导结构相对设置的结构。通过本方法制备的光电探测器能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度较高，光‑电响应带宽较大。
📄 2020100536550
📂 H01L31_109
👤 淮阴工学院
📅 2020-01-17
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