本实用新型公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2020222221534
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-09-30
本实用新型公开了一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片，包括：衬底；耗尽层，形成于所述衬底上；深p型沟道，横向设置于所述耗尽层内；n型硅体，横向设置于所述耗尽层内且位置所述深p型沟道上方；间隔排列在所述n型硅体上方且位置耗尽层内的第一n型重掺杂区、p型重掺杂区、第二n型重掺杂区；p型掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述第二n型重掺杂区间隔设置；第三n型重掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述p型掺杂区间隔设置；阴极环，设置于耗尽层内，与第三n型重掺杂区间隔设置。本实用新型将超大面积硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成在一个芯片上，大大减少封装的难度，以及芯片集成时所占的面积，且便于探测器与场效应管的参数调节。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2020222186367
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-09-30
本实用新型公开了一种扇形交替式硅像素探测器，包括n型硅基底，n型硅基底为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面，其上表面设置有P+收集面；P+收集面由p+型中心像素单元和等间隔设置在p+型中心像素单元径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心像素单元位于P+收集面的中心位置，每个扇形区域由多个从内向外交替设置的p+型像素单元A和p+型像素单元B组成，所有扇形区域的同一位置处的p+型像素单元A和p+型像素单元B等间隔交替设置形成一个p+型像素环，共形成多个同心的p+型像素环，且p+型像素环的数量与每个扇形区域包含的p+型像素单元A和p+型像素单元B的总数相等，制备工艺简单、成品率高、成本低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2020214728655
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-07-23
本发明公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。
📄 202011065727X
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-09-30
本发明公开了一种扇形交替式硅像素探测器，包括n型硅基底，n型硅基底为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面，其上表面设置有P+收集面；P+收集面由p+型中心像素单元和等间隔设置在p+型中心像素单元径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心像素单元位于P+收集面的中心位置，每个扇形区域由多个从内向外交替设置的p+型像素单元A和p+型像素单元B组成，所有扇形区域的同一位置处的p+型像素单元A和p+型像素单元B等间隔交替设置形成一个p+型像素环，共形成多个同心的p+型像素环，且p+型像素环的数量与每个扇形区域包含的p+型像素单元A和p+型像素单元B的总数相等，制备工艺简单、成品率高、成本低。
📄 2020107182754
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-07-23
本发明公开了一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列，包括N型高阻硅衬底，N型高阻硅衬底的顶面上生成有SiO2氧化层，SiO2氧化层上经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂阴极螺旋环结构，P+重掺杂阴极螺旋环结构为平面螺旋环结构，且P+重掺杂阴极螺旋环结构的中心位置设置有与其连接的收集阴极，N型高阻硅衬底的底面经刻蚀、离子注入形成有n+重掺杂离子注入层。P+重掺杂阴极螺旋环结构以收集阴极作为起始位置逆时针呈方形或多边形向外螺旋延伸至SiO2氧化层的任意一侧边缘。单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器组成单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器阵列。减小了探测器的有效工作面积，保证探测器低电容的优势。
📄 2020107168371
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-07-23
本发明公开了一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器，梳状硅像素探测器为采用梳状硅像素探测单元组成的梳状硅像素探测单元阵列。梳状硅像素探测单元包括硅基体，硅基体顶面生成有二氧化硅层，二氧化硅层内刻蚀有P+阴极，硅基体的底面刻蚀有n+阳极；P+阴极由第一梳状阴极和第二梳状阴极组成，第一梳状阴极和第二梳状阴极由一个L型阴极以及位于L型阴极内并与其连接的多个条型阴极组成，两者的L型阴极相距一定距离相对设置，两者的多个条型阴极相互平行交叉设置，且第一梳状阴极的L型阴极不与第二梳状阴极的条型阴极连接，其条型阴极不与第二梳状阴极的L型阴极连接。实现了硅像素探测器的空间二维位置分辨，分辨率高、工艺简单。
📄 2020107183085
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-07-23
本发明涉及选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构及其制备方法，该选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构，包括可探测不同波段入射光的若干个亚像素单元，每个亚像素单元均由方井状的微结构阵列及其表面的金属下电极、光敏层和上电极构成，不同亚像素单元中的方井状的微结构尺寸及阵列间距根据其所在亚像素单元的探测波段确定，所述方井状的微结构上端开口内部中空构成谐振腔，同一亚像素单元内相邻的方井状的微结构之间构成谐振腔。本发明解决现有技术中的探测器结构无法同时实现可见光‑近红外多波段吸收增强探测的问题。
📄 2019101625915
📂 H01L27_146
👤 西安工业大学
📅 2019-03-05
本发明涉及具有多功能窗口的全天时成像探测器及其制备方法，该装置包括包括多功能窗口和探测部分，多功能窗口包括微透镜阵列、窗口本体和滤光片阵列；所述微透镜阵列集成在窗口本体的上表面，每个微透镜单元顶面均为球冠结构，球冠的俯视投影为正方形，相邻微透镜单元球冠俯视投影的正方形相接；所述滤光片阵列镀制在窗口本体的下表面；所述滤光片阵列包括四种滤光片，分别为三种单色可见光结合红外波段的带通滤光片和一种红外滤光片；所述探测部分由像素单元阵列构成，每个像素单元包括四种亚像素单元，四种亚像素单元与四种滤光片一一正对；本发明还介绍了微透镜阵列的制备方法、探测器的探测方法。本发明装置可以实现全天时探测。
📄 2019101625953
📂 H01L27_146
👤 西安工业大学
📅 2019-03-05
本发明公开了一种三极管图像传感器，包括：驱动背板，所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔；每个图像传感单元内均包括VDMOS器件，所述VDMOS器件设置在驱动背板上，至少覆盖一个所述过孔；还包括第一薄膜封装层、共阴极、第二薄膜封装层、滤光层和玻璃封装层。本发明通过VDMOS器件的电导增益为载流子提供本征放大，能够显著地降低微图像传感器件中的电噪声,从而对高分辨率微显示器实现高增益驱动。
📄 2021102770932
📂 H01L27_146
👤 常州大学
📅 2021-03-15
描述了一种均匀桥接梯度(UBG)飞行时间(ToF)光电二极管块，例如用于与图像传感器像素集成。UBG ToF光电二极管块可以是UBG ToF像素的一部分，并且图像传感器可以包括此类像素的阵列。每个UGB ToF光电传感器块具有用于选择性激活的多个抽头，以及光电二极管区域，用于在产生光载流子时通过该多个抽头完成和快速传输光载流子。光电二极管区域的实施例包括光电二极管限定注入、相对浅的第一桥接注入和相对深的第二桥接注入。桥接注入在多个抽头附近和跨多个抽头提供具有均匀掺杂梯度的横向桥接。
📄 2022104112458
📂 H01L27_146
👤 深圳市汇顶科技股份有限公司
📅 2022-04-19
本申请公开了一种光传感器(300)及相关基于飞行时间的测距系统。所述光传感器包括：半导体衬底(302)，具有第一面(302a)与第二面(302b)；光电二极管(PD)，设置于所述半导体衬底中且邻近所述第一面，所述光电二极管用于传感光线以产生电荷；第一浮置扩散区(FDN1)，设置于所述半导体衬底中且邻近所述第一面，用于在采样操作时，收集所述电荷；第一栅极，设置于所述半导体衬底上，用来选择性地控制所述电荷进入所述第一浮置扩散区；以及PIN二极管(304)，设置于所述光电二极管上；从俯视图来看，所述PIN二极管至少部分重叠所述光电二极管。
📄 2020800016060
📂 H01L27_146
👤 深圳市汇顶科技股份有限公司
📅 2020-03-17
柿子坊 · 知识产权运营
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