本发明涉及选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构及其制备方法，该选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构，包括可探测不同波段入射光的若干个亚像素单元，每个亚像素单元均由方井状的微结构阵列及其表面的金属下电极、光敏层和上电极构成，不同亚像素单元中的方井状的微结构尺寸及阵列间距根据其所在亚像素单元的探测波段确定，所述方井状的微结构上端开口内部中空构成谐振腔，同一亚像素单元内相邻的方井状的微结构之间构成谐振腔。本发明解决现有技术中的探测器结构无法同时实现可见光‑近红外多波段吸收增强探测的问题。
📄 2019101625915
📂 H01L27_146
👤 西安工业大学
📅 2019-03-05
本发明涉及具有多功能窗口的全天时成像探测器及其制备方法，该装置包括包括多功能窗口和探测部分，多功能窗口包括微透镜阵列、窗口本体和滤光片阵列；所述微透镜阵列集成在窗口本体的上表面，每个微透镜单元顶面均为球冠结构，球冠的俯视投影为正方形，相邻微透镜单元球冠俯视投影的正方形相接；所述滤光片阵列镀制在窗口本体的下表面；所述滤光片阵列包括四种滤光片，分别为三种单色可见光结合红外波段的带通滤光片和一种红外滤光片；所述探测部分由像素单元阵列构成，每个像素单元包括四种亚像素单元，四种亚像素单元与四种滤光片一一正对；本发明还介绍了微透镜阵列的制备方法、探测器的探测方法。本发明装置可以实现全天时探测。
📄 2019101625953
📂 H01L27_146
👤 西安工业大学
📅 2019-03-05
本发明公开了一种三极管图像传感器，包括：驱动背板，所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔；每个图像传感单元内均包括VDMOS器件，所述VDMOS器件设置在驱动背板上，至少覆盖一个所述过孔；还包括第一薄膜封装层、共阴极、第二薄膜封装层、滤光层和玻璃封装层。本发明通过VDMOS器件的电导增益为载流子提供本征放大，能够显著地降低微图像传感器件中的电噪声,从而对高分辨率微显示器实现高增益驱动。
📄 2021102770932
📂 H01L27_146
👤 常州大学
📅 2021-03-15
描述了一种均匀桥接梯度(UBG)飞行时间(ToF)光电二极管块，例如用于与图像传感器像素集成。UBG ToF光电二极管块可以是UBG ToF像素的一部分，并且图像传感器可以包括此类像素的阵列。每个UGB ToF光电传感器块具有用于选择性激活的多个抽头，以及光电二极管区域，用于在产生光载流子时通过该多个抽头完成和快速传输光载流子。光电二极管区域的实施例包括光电二极管限定注入、相对浅的第一桥接注入和相对深的第二桥接注入。桥接注入在多个抽头附近和跨多个抽头提供具有均匀掺杂梯度的横向桥接。
📄 2022104112458
📂 H01L27_146
👤 深圳市汇顶科技股份有限公司
📅 2022-04-19
本申请公开了一种光传感器(300)及相关基于飞行时间的测距系统。所述光传感器包括：半导体衬底(302)，具有第一面(302a)与第二面(302b)；光电二极管(PD)，设置于所述半导体衬底中且邻近所述第一面，所述光电二极管用于传感光线以产生电荷；第一浮置扩散区(FDN1)，设置于所述半导体衬底中且邻近所述第一面，用于在采样操作时，收集所述电荷；第一栅极，设置于所述半导体衬底上，用来选择性地控制所述电荷进入所述第一浮置扩散区；以及PIN二极管(304)，设置于所述光电二极管上；从俯视图来看，所述PIN二极管至少部分重叠所述光电二极管。
📄 2020800016060
📂 H01L27_146
👤 深圳市汇顶科技股份有限公司
📅 2020-03-17
本申请实施例提供了一种堆叠式的芯片、制造方法和电子设备，能够降低堆叠式芯片的制造成本。该堆叠式的芯片包括：载体晶片，其中设置有第一凹槽；第一晶片，设置于该第一凹槽中；第二晶片，堆叠于该载体晶片和该第一晶片的上方，该第二晶片的表面面积大于该第一晶片的表面面积；位于第二晶片与该第一晶片之间的再布线层，该第二晶片通过该再布线层与该第一晶片电连接。在本申请的实施方案中，通过载体晶片中第一凹槽为第一晶片提供支撑和稳定，实现将大面积的第二晶片堆叠在小面积的第一晶片上，从而可以在实现堆叠芯片结构的同时，还能够在晶圆上尽可能多的制造小面积的第一晶片，降低单颗第一晶片的成本，从而降低整体的制造成本。
📄 2019800027556
📂 H01L27_146
👤 深圳市汇顶科技股份有限公司
📅 2019-11-12
本申请实施例提供了一种像素单元阵列与电子设备。像素单元阵列中，第一像素单元与第二像素单元均设置在衬底层上，衬底层上包括呈阵列排布的多个像素区域，每个第一像素单元占据一个像素区域，每个第二像素单元占据多个像素区域形成的阵列中M行、N列的像素区域；其中M、N均为正整数，且M+N≥4，子像素的体积大于第一像素单元的体积；遮光层用于遮挡入射光线的遮光层，每个遮光层包括形状相同的两个子遮光层，子遮光层与子像素一一对应；每个子遮光层设置在对应的子像素上，且覆盖部分对应的子像素的感光区域；两个子遮光层关于参考平面镜像对称，参考平面为两个子像素的接触面所在的平面。本发明中，提升了像素单元阵列在强光下的对焦性能。
📄 2020109886691
📂 H01L27_146
👤 深圳市汇顶科技股份有限公司
📅 2020-09-18
本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：衬底；形成在衬底上的多个滤色元件，每个滤色元件用于允许特定波长的光通过；以及形成在相邻两个滤色元件之间的隔离结构，用于防止光在滤色元件之间串扰；其中，隔离结构包括光吸收结构。
📄 2018100860909
📂 H01L27_146
👤 德淮半导体有限公司
📅 2018-01-30
本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：衬底，具有其中形成用于感测辐射的辐射传感器的感测区以及不用于感测辐射的非感测区，衬底具有第一导电类型；中间层，形成在衬底之上，中间层形成有开口，开口在非感测区延伸到衬底；导电层，包括水平部分以及一个或多个垂直部分，水平部分形成在中间层之上，一个或多个垂直部分形成在开口内并延伸到衬底；以及在衬底中形成的一个或多个掺杂区，掺杂区与导电层的对应的垂直部分相邻和/或与衬底和中间层的界面相邻，掺杂区掺杂有第一导电类型的掺杂剂。
📄 2017108026893
📂 H01L27_146
👤 德淮半导体有限公司
📅 2017-09-08
一种像素单元电路、像素单元结构及其形成方法，其中像素单元电路包括：光电二极管；传输晶体管，所述传输晶体管的源级与所述光电二极管连接，所述传输晶体管的漏极与浮空扩散点连接；源跟随晶体管，所述源跟随晶体管的栅极与浮空扩散点连接，所述源跟随晶体管的漏极与电源线连接；选择晶体管，所述选择晶体管的漏极与所述源跟随晶体管的源级连接，所述选择晶体管的源级适于输出列信号；电容，所述电容的一端与所述源跟随晶体管的源级以及所述选择晶体管的漏极连接。所述像素单元电路的性能得到提高。
📄 2018113317709
📂 H01L27_146
👤 淮安西德工业设计有限公司
📅 2018-11-09
本公开涉及图像传感器及其形成方法和操作方法。图像传感器包括至少一个像素单元以及栅极结构，像素单元包括：设置在衬底中的有源区，所述有源区被隔离沟槽与用于相邻像素单元的有源区分隔开；第一浮置扩散区以及第二浮置扩散区；第一掺杂区，设置在有源区中在所述第一浮置扩散区以及第二浮置扩散区下方，并且所述第一掺杂区具有第一掺杂类型；第一沟道形成区，设置在第一浮置扩散区与第一掺杂区之间；第二沟道形成区，设置在第一浮置扩散区与第二浮置扩散区之间。
📄 2019110087964
📂 H01L27_146
👤 淮安西德工业设计有限公司
📅 2019-10-23
本发明技术方案公开了一种隔离结构及其形成方法，图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立的光电二极管和沟槽隔离结构，所述光电二极管位于所述沟槽隔离结构之间；对应于所述沟槽隔离结构的隔离结构，包括位于所述半导体衬底上的相移层和位于所述相移层上的金属栅格，所述金属栅格包括位于所述相移层上的金属层，所述相移层宽于所述金属栅格；滤光层，位于所述隔离结构之间。本发明技术方案能够有效改善光线串扰。
📄 2019101454682
📂 H01L27_146
👤 淮安西德工业设计有限公司
📅 2019-02-27
柿子坊 · 知识产权运营
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