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本发明公开了一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法，包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳结构，表面是六方周期性排布的复合微纳减反结构，本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件，包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构。该结构具有极低的表面反射率，通过调节复合微纳结构的高度及填充因子，使光从空气进入到太阳电池时实现介质折射率缓慢变化，这种等效的折射率缓变结构，减缓了传统电池表面和界面处折射率变化的剧烈程度，极大地降低反射率，同时增加光程，提高有效光吸收，从而实现太阳电池的高转换效率。

本发明公开了一种n‑Si/CdSSe叠层太阳电池，包括由上至下依次叠置的CdSSe薄膜顶电池、隧穿层和晶体硅底电池，所述隧穿层为单层或双层氧化物结构，所述单层氧化物结构材质为SnO2或In2O3，所述双层氧化物结构的上层材质为SnO2或In2O3，所述双层氧化物的下层材质为Al2O3或SiO2。本发明还公开了这种n‑Si/CdSSe叠层太阳电池的制备方法。该n‑Si/CdSSe叠层太阳电池可减少两电池界面处电流复合损失，并保证顶电池在厚度比较薄的情况下的电流输出。

本发明公开了一种n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池，包括依次叠置的衬底、背电极、半导体薄膜层、绝缘层、前电极和石墨烯层，所述绝缘层和前电极设有通孔，所述石墨烯层通过所述通孔与半导体薄膜层表面接触形成肖特基结，所述半导体薄膜层为n型CdSxSe1-x半导体薄膜，其中0

📄 2015103384455 📂 H01L31_07 👤 常熟理工学院 📅 2015-06-18

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