专利交易市场

本实用新型涉及二极管加工技术领域，尤其涉及一种光电二极管加工用点胶装置，技术问题：现有的点胶机所采用的热熔胶点胶加工过程中，热熔胶固化速度慢，卸料过程中容易发生脱胶；技术方案：一种光电二极管加工用点胶装置，包括有机架、工作框、位移台座、点胶枪、转向机构、风冷组件、风环组件；本实用新型通过安装在点胶机上的风环组件配合风冷组件可以在点胶枪的外围一周连续输送冷风，在点胶枪移动点胶的过程中同步对点胶位置进行风冷降温，加速热熔胶的冷却固化，通过转向机构控制风环组件旋转调整位置，方便与点胶枪脱离并进行维护，解决了现有的点胶机所采用的热熔胶点胶加工过程中，热熔胶固化速度慢，卸料过程中容易发生脱胶的问题。

本发明涉及一种半导体光电二极管封装结构，属于半导体封装技术领域，所述半导体光电二极管封装结构包括依次层叠的透明盖板、第一封装胶层、第二封装胶层、第三封装胶层、半导体光电二极管器件层、第四封装胶层、第五封装胶层、第六封装胶层以及背板。本发明采用多个封装胶层对半导体器件进行封装，提高了半导体器件的使用寿命，且该封装结构具有优异的水汽阻挡性能。

本发明提供一种光电二极管的制备方法、光电二极管和CMOS图像传感器，该方法包括：在衬底上形成遮蔽层，衬底具有第一掺杂类型，衬底上设置有预设位置，第一掺杂类型和第二掺杂类型不同；对遮蔽层进行处理，使预设位置上方的遮蔽层的厚度小于非预设位置上方的遮蔽层的厚度；对衬底进行离子注入，使注入的离子形成下表面为曲面的且具有第二掺杂类型的区域，以增加衬底与区域的接触面积；去除遮蔽层，得到光电二极管。本申请增加了具有第一掺杂类型的衬底与具有第二掺杂类型的区域的接触面积，提高了满阱容量。

本发明提供一种补偿反射镜集成的全反射式单行载流子光电二极管，所述器件通过引入全反射镜和补偿反射镜结构，使得入射光信号斜入射在二极管表面的部分反射信号光在引入的新反射镜表面能够重新反射回二极管本体内，增大效率，且入射光信号斜入射部分在二极管表面斜入射进而增加光在吸收层的传播长度，在保持器件的高速、高饱和输出的前提下进一步提升量子效率。此外，所述器件在收集层和接触层中间插入P型掺杂薄层进行电场优化，使器件可以在更高的工作电压下进行正常工作，高的工作电压可以应对高光强造成的空间电荷效应，对其进行补偿，使得器件在更高的光强下依然保有高的响应速度。