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专利详情
已授权
电容器及其制作方法
📄 申请号:CN201980000563.1
📄 发布日:2026/07/13
著录项目信息
申请日
2019-04-19
公开号
CN112119476B
公开日
2022-04-19
申请人
武汉迅知云科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
主分类号
H01G4_33
IPC 分类号
H01G4_33
技术画像
所属领域
电容器
电容器
电子元器件
电子器件制造
应用场景
消费电子, 通信设备, 新能源汽车, 工业自动化, 储能系统
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摘要
本申请提供一种电容器及其制作方法,能够制备小体积、高容值密度的电容器。该电容器包括:至少一个多翼结构;叠层结构,该叠层结构包覆该至少一个多翼结构,该叠层结构包括至少一层电介质层和多层导电层,该至少一层电介质层和该多层导电层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构;至少一个第一外接电极,该第一外接电极电连接至该多层导电层中的一部分导电层;至少一个第二外接电极,该第二外接电极电连接至该多层导电层中的另一部分导电层,该一部分导电层中的每个导电层在该叠层结构中相邻的导电层包括有该另一部分导电层中的至少一个导电层。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20250610
?? 专利权的转移 :
20220419
✅ 授权
20210108
?? 实质审查的生效 :
20201222
📄 公开
光电二极管的制备方法、光电二极管和CMOS图像传感器
当前第 / 件
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覆盖
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议价
不含过户费
委托平台代购
📋 交易方式:
委托待转让
📌 交易状态:
在售
👁️ 浏览次数:23
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📋 项目申报:
未申报
资金托管
权属尽调
包过户
🏢 淄博智来知识产权服务有限公司
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