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本发明提供了一种宽波段自驱动线偏振灵敏光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域，包括基底，以及设置在所述基底上的ZrS3层和ReSe2层，ZrS3层和ReSe2层之间部分重合形成ZrS3/ReSe2范德华异质结，光电探测器的源极设置在ReSe2层上，漏极设置在ZrS3层上，栅极设置在基底背面。本发明提供的光电探测器同时具有宽波段、自驱动、线偏振灵敏特性，能够提高光电探测器的性能和适用性。

本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种具有正负双极性响应特性的光电探测器及其制备方法，包括基底以及设置在所述基底上的二硫化铼/二硒化钯范德华异质结；所述光电探测器的源极和漏极设置在二硒化钯长度方向的两端，栅极设置在远离所述二硫化铼/二硒化钯范德华异质结的基底侧一侧；将二硫化铼作为光栅控制层，将二硒化钯作为载流子传输层，通过调节栅极电压实现光电探测器的正响应与负响应转换；当栅极电压不超过栅极电压阈值时，光电探测器呈现负响应，当栅极电压超过栅极电压阈值时，光电探测器呈现正响应。

本发明公开了一种光晶体管集成传感核心的无光栅量子点光谱探测器，包括基底、栅电极、栅绝缘层、源电极、P型有源层、I型量子点感光层、N型半导体层、漏电极，其中不同波段的量子点可用于为不同像素的晶体管探测器。利用栅极作为行扫描线，通过源漏极作为信号读取线路读取光谱信号，并利用与背景光电信号的差值实现被测物的光谱测量。本发明解决了传统光谱探测器光学分光组件体积过大，光电信号读取分离以及探测波段局限等系列难题，实现了利用量子点的窄带宽光电响应特点以及薄膜晶体管(TFT)光电集成度高的优势，制造出不需要光栅分光的量子点晶体管型的光谱探测器。

本发明公开了一种人工突触晶体管阵列，由下到上依次设置有衬底层、沟道层和电极层。本发明的人工突触晶体管阵列通过在所述衬底层上依次设置所述沟道层和所述电极层，并利用所述衬底层的硅作为背栅结构，利用将所述沟道层的材料为大面积均匀的多层二硫化钼，使晶体管可以实现阵列化且可以工作在可见光和近红外光波段，且二硫化钼富含缺陷态，可以增强载流子的束缚，实现强突触可塑性、高敏感性和低功耗。因此使得人工突触晶体管集传感‑存储‑预处理功能为一体，从而可以实现对人眼感知和人脑存储的模拟。

本发明公开电栅自卷积硫化铅量子点夹层的硒化铅薄膜光电晶体管，属于光电晶体管技术领域；光电晶体管包括基底，基底上设置有栅极，栅极上包裹有绝缘层，绝缘层上设置有有源层，有源层包括两层硒化铅薄膜以及包裹在二者之间的硫化铅量子点层；硒化铅薄膜的右端设置有源极，绝缘层和有源层之间的左端设置有漏极；栅极采用电栅形式，利用栅极电压与光电反应的关系模型与卷积神经网络模型，内部形成卷积核，用算法测试验证卷积核，利用卷积神经网络模型构建样本校正，用算法测试验证，实现对光的寻址，提高了光电晶体管的准确性；且该光电晶体管具有较好的偏振敏感和宽光谱响应特性。

本发明公开了一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法，该芯片自下至上依次为基底、底栅电极、栅绝缘层、p型半导体层、本征层和n型半导体层，p型半导体层上设置有源电极，n型半导体层上设置有漏电极，p型半导体层、本征层和n型半导体层构成p‑i‑n异质结场效应沟道，该芯片的制备方法包括以下步骤：(1)在基底制备底栅电极；(2)制备栅绝缘层；(3)制备p型半导体层；(4)制备源电极；(5)制备宽禁带半导体量子点本征层；(6)制备n型半导体层；(7)制备漏电极。该芯片能够在提高内量子效率同时降低暗电流，加速分离光生电子和空穴，使光生电子和空穴分别快速转移到n区和p区，继而分别到达源电极和漏电极，提高其响应度。