本实用新型属于柔性电池技术领域，尤其为一种高机械性能的柔性电池电极结构，包括柔性电池主体、正电极、负电极，正电极、负电极安装在柔性电池主体的一端，正电极外侧包覆有外护层，正电极包括第一连接端、第二连接端，第一连接端上设置有电极组合件，电极组合件一端设置有凸出端，凸出端两侧设置有转动连接端，电极组合件另一端开设有缺口，缺口内侧开设有转动槽。本实用新型通过第一连接端、电极组合件、凸出端、第二连接端、缺口、转动槽、转动连接端，正电极、负电极可进行上下的折弯，且不会产生损坏，避免因折弯过多造成的断裂，正电极、负电极整体的机械强度得到提升且外护层可保障整体的正电极、负电极不受外界环境因素影响。
📄 2023212440030
📂 H01L31_0224
👤 深圳市创合源科技有限公司
📅 2023-05-22
本发明属于利用太空太阳能技术领域，尤其是一种提高4倍吸收储存释放太阳能的太阳能交流电池，针对现有的太阳能吸收储存释放的太阳能不能有效的进行转换，降低了太阳能的使用率的问题，现提出如下方案，其包括太阳能发电板，所述太阳能发电板为四方锥体形结构，太阳能发电板的底部连接有太阳能电池主体，所述太阳能发电板采用高磁场永磁体矿物质精细到纳米级进行分选提纯、冶炼、压制成高密度的纳米级结构高磁场永磁体材料薄板。本发明采用四方锥体形提高4倍吸收、储存，释放太阳能的太阳能电池特征，具有创造性、永久性，清洁环保性、安全性、灵活性，使用寿命长，只要有太阳辐射和灯光就可以产生电能，不需要充电。
📄 2022104409553
📂 H01L31_0236
👤 长沙精英军纳米科技有限公司
📅 2022-04-25
本实用新型提供了一种二维位置分辨硅探测器，包括基底，正面阴极环嵌入于基底正面，正面阴极环上方镀有正面铝层；阳极嵌入于基底反面，阳极远离基底的一面镀有反面铝层；二氧化硅层填充于正面铝层之间以及反面铝层之间；所述正面铝层上设置有正面探测信号输出点；所述反面铝层上设置有反面探测信号输出点。解决了现有技术中存在的探测信号引出点多，封装工作量和难度大，产品合格率低等问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2022211367724
📂 H01L31_0224
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2022-05-11
本实用新型公开了一种螺旋线性硅漂移探测器，所述探测器包括长方体状的硅基底，硅基底顶面相对的两边缘处均设有收集阳极，收集阳极间设有链条状的正面漂移阴极，正面漂移阴极呈S形排布在硅基底上，硅基底底部设有反面漂移阴极，反面漂移阴极和收集阳极上附着有铝层，硅基底和正面漂移阴极顶部设有二氧化硅层，正面漂移阴极两端和中间的二氧化硅层被刻蚀掉，其上附有铝层；本实用新型能够自主分压，使用方便，有效探测面积较大，电荷收集效率、能量分辨率和灵敏度较好。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2021221535168
📂 H01L31_0224
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2021-09-07
本发明公开了一种S形硅漂移探测器及其设计方法，所述探测器包括长方体状的硅基底，硅基底顶面相对的两边缘处均设有收集阳极，收集阳极间设有链条状的正面漂移阴极，正面漂移阴极呈S形排布在硅基底上，硅基底底部设有反面漂移阴极，反面漂移阴极和收集阳极上附着有铝层，硅基底和正面漂移阴极顶部设有二氧化硅层，正面漂移阴极两端和中间的二氧化硅层被刻蚀掉，其上附有铝层；本发明能够自主分压，使用方便，有效探测面积较大，电荷收集效率、能量分辨率和灵敏度较好。
📄 202111043437X
📂 H01L31_0224
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2021-09-07
本发明提出了半导体领域内的一种用于环境感知的硅衬底氮化镓光子集成芯片，以硅衬底氮化物晶圆为载体，包括硅衬底层和氮化物外沿层，所述氮化物外延层的顶层设有发射器和接收器，所述发射器和接收器交替排列并且以阵列形式分布，所述发射器为带有亚波长超构表面的微型光源，所述接收器为带有亚波长超构表面的光电探测器，所述氮化物外延层带有连接发射器的正电极和负电极，所述氮化物外延层带有连接接受器的正电极和负电极，所述硅衬底层与电路板进行引线连接并结合构成芯片整体，本发明体积小，具有高度的集成性，检测精度高，可应用于无接触式光学传感器，提升周围复杂环境感知的准确度并促进无人驾驶、移动机器人等场景的发展。
📄 2022105121242
📂 H01L31_0232
👤 南京邮电大学
📅 2022-05-11
本发明一种晶体硅系太阳能电池及其表面纳米复合结构制备方法，方法简单，一步合成，成本低质量高，显著提高电池的性能。所述的方法是在晶体硅系太阳能电池表面已有结构上利用等离子体增强化学气相沉积方法制备金属纳米颗粒。所述电池的表面为由本发明所述方法制备得到的纳米复合结构。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通过气体的等离子放电产生活性基团来促进纳米金属颗粒生成的反应，纳米金属颗粒一步合成，并能够均匀的将其布置在晶体硅表面，通过优化锗量子点的沉积时间、沉积温度以及氢稀释比，使沉积工艺组合达到左右。最优沉积工艺下得到锗量子点，经氢等离子体处理，钝化锗量子点表面悬挂键，修饰表面形貌，使其分散均匀。
📄 2016107860296
📂 H01L31_0236
👤 陕西师范大学
📅 2016-08-30
本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜及其镀膜方法。该反射薄膜制备方法为：将硝酸锌，乙酰丙酮锌、硝酸镓和乙醇在20‑80℃下混合反应，陈化后形成镓掺杂氧化锌溶胶，然后将镓掺杂氧化锌溶胶涂覆在硅片表面形成连续薄膜。本发明的镓掺杂氧化锌减反射薄膜中掺杂有镓元素，进一步提高薄膜的透射率，并且其制备方法简单快捷、易控制，可操作性强，在镀膜时，无需大型真空设备，无需高高温退火，可在较低温度下、空气中大面积制备，能够降低对硅太阳能电池的热损坏程度，制备成本低廉。并且制得的镓掺杂氧化锌减反射薄膜同时兼具光透过率高、电阻率较低、防污性能好的优点。
📄 2016111906678
📂 H01L31_0216
👤 浙江海洋大学
📅 2016-12-21
本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种用于硅太阳电池的ZnO减反射薄膜及其镀膜方法。该反射薄膜制备方法为：将硝酸锌，乙酰丙酮锌和乙醇在20‑60℃下混合并进行反应，陈化20‑28h后形成氧化锌溶胶，然后将氧化锌溶胶涂覆在硅片表面形成连续薄膜，即为ZnO减反射薄膜。本发明的ZnO减反射薄膜的制备方法简单快捷、易控制，可操作性强，在镀膜时，无需大型真空设备，无需高高温退火，可在较低温度下、空气中大面积制备，能够降低对硅太阳能电池的热损坏程度，制备成本低廉。并且制得的ZnO减反射薄膜同时兼具光透过率高、电阻率较低、防污性能好的优点。
📄 2016111906682
📂 H01L31_0216
👤 浙江海洋大学
📅 2016-12-21
本发明一种全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法，所述方法包括步骤1，将CsI加入DMSO中，完全溶解后加入异丙醇，将沉淀过滤，真空干燥得到处理过的CsI；步骤2，将PbI2(DMSO)，PbBr2(DMSO)和处理过的CsI，按照CsPbI2Br对应元素的摩尔比溶解，配制前驱体溶液；步骤3，在基底上制备电子传输层；将上述溶液旋涂于电子传输层表面，分别30‑40℃和120‑200℃退火2‑5min，使薄膜结晶得到全无机钙钛矿光吸收层；步骤4，在吸收层表面依次制备空穴传输层和金电极层，得到全无机钙钛矿太阳能电池。此钙钛矿电池的水氧稳定性好，成膜性好，方法简单且重复性强。
📄 201810850062X
📂 H01L31_0264
👤 陕西师范大学
📅 2018-07-28
本发明公开了三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米网格薄膜的方法，在基底上表面加工出三维微结构，将导电纳米线加入不导电分散剂中充分混合形成分散液，将所得基底上表面向上置于分散液中并缓慢向上提拉，在提拉过程中，分散液中的导电纳米线靠近基底上表面的三维微结构表面，并被该表面的静电荷吸附而附着在该表面，随着提拉距离增加，三维微结构表面导电纳米线逐渐积累，相互搭接形成网格薄膜；该网格薄膜厚度达到要求后从分散液中取出基底，并用激光焊接方式增强导电纳米线之间的连接力以及导电纳米线和三维微结构表面的附着力；所得网格的网孔可以透光，而构成网格导电纳米线可以形成电通路，即实现三维微结构表面透明导电纳米网格薄膜的制备。
📄 2019102757841
📂 H01L31_0224
👤 西安工业大学
📅 2019-04-08
本发明公开了一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，包括一衬底，衬底上依次设有GaN层和n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上一侧有一台面，n型掺杂GaN层上表面依次设有超晶格层、非掺杂GaN缓冲层、非掺杂InGaN/GaN多量子阱层、GaN势垒层、AlInGaN势垒层和p型掺杂GaN层，p型掺杂GaN层上设有多个p型电极，p型电极之间通过透明电极层连接；n型掺杂GaN层台面上设有n型电极。本发明通过在外延p‑GaN之前插入一层AllnGaN层来对改进p‑GaN结构，使该层结构具有较好的晶格匹配和较低的热膨胀系数，空穴载流子的输运效率提高，光电转化率达到1.96％。
📄 2019106207643
📂 H01L31_0224
👤 陕西科技大学
📅 2019-07-10
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