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50 件在售专利
本发明一种晶体硅系太阳能电池及其表面纳米复合结构制备方法,方法简单,一步合成,成本低质量高,显著提高电池的性能。所述的方法是在晶体硅系太阳能电池表面已有结构上利用等离子体增强化学气相沉积方法制备金属纳米颗粒。所述电池的表面为由本发明所述方法制备得到的纳米复合结构。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通过气体的等离子放电产生活性基团来促进纳米金属颗粒生成的反应,纳米金属颗粒一步合成,并能够均匀的将其布置在晶体硅表面,通过优化锗量子点的沉积时间、沉积温度以及氢稀释比,使沉积工艺组合达到左右。最优沉积工艺下得到锗量子点,经氢等离子体处理,钝化锗量子点表面悬挂键,修饰表面形貌,使其分散均匀。
📄 2016107860296 📂 H01L31_0236 👤 陕西师范大学 📅 2016-08-30
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本发明涉及太阳能电池领域,公开了一种硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜及其镀膜方法。该反射薄膜制备方法为:将硝酸锌,乙酰丙酮锌、硝酸镓和乙醇在20‑80℃下混合反应,陈化后形成镓掺杂氧化锌溶胶,然后将镓掺杂氧化锌溶胶涂覆在硅片表面形成连续薄膜。本发明的镓掺杂氧化锌减反射薄膜中掺杂有镓元素,进一步提高薄膜的透射率,并且其制备方法简单快捷、易控制,可操作性强,在镀膜时,无需大型真空设备,无需高高温退火,可在较低温度下、空气中大面积制备,能够降低对硅太阳能电池的热损坏程度,制备成本低廉。并且制得的镓掺杂氧化锌减反射薄膜同时兼具光透过率高、电阻率较低、防污性能好的优点。
📄 2016111906678 📂 H01L31_0216 👤 浙江海洋大学 📅 2016-12-21
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本发明涉及太阳能电池领域,公开了一种用于硅太阳电池的ZnO减反射薄膜及其镀膜方法。该反射薄膜制备方法为:将硝酸锌,乙酰丙酮锌和乙醇在20‑60℃下混合并进行反应,陈化20‑28h后形成氧化锌溶胶,然后将氧化锌溶胶涂覆在硅片表面形成连续薄膜,即为ZnO减反射薄膜。本发明的ZnO减反射薄膜的制备方法简单快捷、易控制,可操作性强,在镀膜时,无需大型真空设备,无需高高温退火,可在较低温度下、空气中大面积制备,能够降低对硅太阳能电池的热损坏程度,制备成本低廉。并且制得的ZnO减反射薄膜同时兼具光透过率高、电阻率较低、防污性能好的优点。
📄 2016111906682 📂 H01L31_0216 👤 浙江海洋大学 📅 2016-12-21
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本发明一种全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法,所述方法包括步骤1,将CsI加入DMSO中,完全溶解后加入异丙醇,将沉淀过滤,真空干燥得到处理过的CsI;步骤2,将PbI2(DMSO),PbBr2(DMSO)和处理过的CsI,按照CsPbI2Br对应元素的摩尔比溶解,配制前驱体溶液;步骤3,在基底上制备电子传输层;将上述溶液旋涂于电子传输层表面,分别30‑40℃和120‑200℃退火2‑5min,使薄膜结晶得到全无机钙钛矿光吸收层;步骤4,在吸收层表面依次制备空穴传输层和金电极层,得到全无机钙钛矿太阳能电池。此钙钛矿电池的水氧稳定性好,成膜性好,方法简单且重复性强。
📄 201810850062X 📂 H01L31_0264 👤 陕西师范大学 📅 2018-07-28
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本发明公开了三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米网格薄膜的方法,在基底上表面加工出三维微结构,将导电纳米线加入不导电分散剂中充分混合形成分散液,将所得基底上表面向上置于分散液中并缓慢向上提拉,在提拉过程中,分散液中的导电纳米线靠近基底上表面的三维微结构表面,并被该表面的静电荷吸附而附着在该表面,随着提拉距离增加,三维微结构表面导电纳米线逐渐积累,相互搭接形成网格薄膜;该网格薄膜厚度达到要求后从分散液中取出基底,并用激光焊接方式增强导电纳米线之间的连接力以及导电纳米线和三维微结构表面的附着力;所得网格的网孔可以透光,而构成网格导电纳米线可以形成电通路,即实现三维微结构表面透明导电纳米网格薄膜的制备。
📄 2019102757841 📂 H01L31_0224 👤 西安工业大学 📅 2019-04-08
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本发明公开了一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池,包括一衬底,衬底上依次设有GaN层和n型掺杂GaN层,n型掺杂GaN层上一侧有一台面,n型掺杂GaN层上表面依次设有超晶格层、非掺杂GaN缓冲层、非掺杂InGaN/GaN多量子阱层、GaN势垒层、AlInGaN势垒层和p型掺杂GaN层,p型掺杂GaN层上设有多个p型电极,p型电极之间通过透明电极层连接;n型掺杂GaN层台面上设有n型电极。本发明通过在外延p‑GaN之前插入一层AllnGaN层来对改进p‑GaN结构,使该层结构具有较好的晶格匹配和较低的热膨胀系数,空穴载流子的输运效率提高,光电转化率达到1.96%。
📄 2019106207643 📂 H01L31_0224 👤 陕西科技大学 📅 2019-07-10
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本发明涉及一种利用热载流子增强硅基光热电效应光电转换器,包括绝缘基底层,所述绝缘基底层的上方设置有第一电极、第二电极、硅基底层,所述硅基底层位于第一电极与第二电极之间,所述硅基底层与第一电极电接触,所述硅基底层与第二电极电接触,所述硅基底层的上方设置有多个陷光槽,所述陷光槽的侧壁上设置有多个等离激元共振结构;该利用热载流子增强硅基光热电效应光电转换器,通过利用等离激元纳米结构层在硅基底上产生光热电效应,从而提高光生载流子的利用效率,在硅基底中存在的由于光生热载流子的温度梯度驱动的光电响应,即光热电效应。光热电效应可以有效利用传统光电探测无法利用的热化载流子的能量,进一步提高了光电转换效率。
📄 2019111895516 📂 H01L31_0216 👤 深圳市汉姆特科技有限公司 📅 2019-11-28
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本发明实施例提供一种谐振增强型光探测器及其制备方法,谐振增强型光探测器包括:由下至上依次形成的第一亚波长光栅层、衬底、第一接触层、吸收层、第二接触层、光栅间隔层以及第二亚波长光栅层,所述第一接触层和所述第二接触层上分别形成有n型接触电极和p型接触电极。该光探测器具有高量子效率、高响应带宽、偏振敏感、可实现角度偏转、制作工艺简单的优点。
📄 2020106191224 📂 H01L31_0232 👤 聊城大学 📅 2020-06-30
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本发明公开了一种具有衬底结构的光电子半导体器件,包括器件本体、衬底,衬底上设有连接机构,器件本体包括壳体、导热装置与卡位机构,器件本体位于衬底上方,导热装置包括导热机构与散热机构,散热机构包括设在壳体顶部的多个出气口,多个出气口内侧壁固定连接有防尘网,卡位机构包括固定连接在壳体内侧壁的导电板,导电板底部固定连接有引脚,连接机构包括固定连接在衬底上的多个插设块。本发明中,通过电流流动传导到电振片上,电振片的振动对驱动腔进行周期性的挤压与拉伸,冷却液流动汇集到汇集管中,将器件内的热量快速的传导到外部,避免了器件使用时温度过高导致损坏,有效的延长了器件的使用使用寿命。
📄 2021102775334 📂 H01L31_0203 👤 河南城建学院 📅 2021-03-15
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本发明公开了一种渐变彩色太阳能电池组件及其镀膜装置和方法,通过在太阳电池上镀制渐变色彩的复合透明介质薄膜,可以使得电池的颜色不再局限于黑色、蓝色等,电池在具备较高美观度的情况下,依然保持较高的光子透过率,因此电池效率较高。镀膜装置中在磁控靶与被镀样品基片之间设置修正板,通过修正板的宽度来灵活控制薄膜的厚度,镀膜稳定性好,操作方便,工作效率高。
📄 2019108843183 📂 H01L31_0216 👤 金陵科技学院 📅 2019-09-19
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本发明公开了一种宽带热电子光探测器件及其制备方法,该光探测器件包括衬底,其特征在于:所述衬底表面依次设置有布拉格光栅、氮化钛薄膜层、金属氧化物层、透明电极和减反射层;其制备方法包括以上各层的制备步骤。本发明的宽带热电子光探测器件及其制备方法具有响应度高、入射光损耗低、工艺简单和普适性强的特点。
📄 2021110541808 📂 H01L31_0232 👤 广东石油化工学院 📅 2021-09-09
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一种新型光电微环及新型光电探测器,涉及光电探测器领域。新型光电微环包括光导部和光吸收段。光导部延伸呈环状。光吸收段同光导部贴合,并沿光导部的延伸方向设置。光吸收段由光电效应材料制成,且光吸收段的长度为其中倏逝波耦合的周期长度的0.9n~1.1n倍。其中,n为正整数。其结构简单、设计巧妙,能够有效地提高对光场的响应度和灵敏度,对于进一步提高光电探测器的响应度和灵敏度具有积极意义。新型光电探测器采用上述新型光电微环,其具有更高的响应度和灵敏度,对于进一步提升光纤通信系统的整体效率具有积极意义。
📄 2020105749286 📂 H01L31_0232 👤 三明学院 📅 2020-06-22
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一种用于硅太阳电池的ZnO减反射薄膜及其镀膜方法

2016111906682 · 浙江海洋大学
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发明 已授权

一种全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法

201810850062X · 陕西师范大学
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发明 已授权
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一种利用热载流子增强硅基光热电效应光电转换器

2019111895516 · 深圳市汉姆特科技有限公司
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发明 已授权

一种谐振增强型光探测器及其制备方法

2020106191224 · 聊城大学
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发明 已授权

一种具有衬底结构的光电子半导体器件

2021102775334 · 河南城建学院
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发明 已授权

一种渐变彩色太阳能电池组件及其镀膜装置和方法

2019108843183 · 金陵科技学院
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发明 已授权

一种宽带热电子光探测器件及其制备方法

2021110541808 · 广东石油化工学院
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发明 已授权

一种新型光电微环及新型光电探测器

2020105749286 · 三明学院
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