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4 件在售专利
本发明公开了一种具有衬底结构的光电子半导体器件,包括器件本体、衬底,衬底上设有连接机构,器件本体包括壳体、导热装置与卡位机构,器件本体位于衬底上方,导热装置包括导热机构与散热机构,散热机构包括设在壳体顶部的多个出气口,多个出气口内侧壁固定连接有防尘网,卡位机构包括固定连接在壳体内侧壁的导电板,导电板底部固定连接有引脚,连接机构包括固定连接在衬底上的多个插设块。本发明中,通过电流流动传导到电振片上,电振片的振动对驱动腔进行周期性的挤压与拉伸,冷却液流动汇集到汇集管中,将器件内的热量快速的传导到外部,避免了器件使用时温度过高导致损坏,有效的延长了器件的使用使用寿命。
📄 2021102775334 📂 H01L31_0203 👤 河南城建学院 📅 2021-03-15
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本发明涉及一种半导体光电二极管封装结构,属于半导体封装技术领域,所述半导体光电二极管封装结构包括依次层叠的透明盖板、第一封装胶层、第二封装胶层、第三封装胶层、半导体光电二极管器件层、第四封装胶层、第五封装胶层、第六封装胶层以及背板。本发明采用多个封装胶层对半导体器件进行封装,提高了半导体器件的使用寿命,且该封装结构具有优异的水汽阻挡性能。
📄 2017104960136 📂 H01L31_0203 👤 南通华隆微电子股份有限公司 📅 2017-06-26
已申报项目
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本发明公开基于面接触的光电探测器及其芯片、硅基光子芯片,基于面接触的光电探测器包括:间隔预设距离的第一波导和第二波导;第一波导接收入射光并将接收的光耦合至第二波导中;第二波导的形状为环形;衬底层用于进行掺杂;第一掺杂区在衬底层的设定区域通过掺杂形成;环形光吸收层位于第一掺杂区的表面,且与第二波导的内壁无缝相邻,用于接收第二波导传输的光信号,并使接收的光信号在环形光吸收层中往返传播进而发生全反射形成谐振,环形光吸收层的折射率大于第二波导的折射率;第二掺杂区由环形光吸收层表面掺杂扩散至环形光吸收层内部。本发明可提高光电探测器的线性度,也可降低光电探测器的寄生参数,提高了光电探测器的带宽。
📄 2023109843736 📂 H01L31_0203 👤 无锡芯光互连技术研究院有限公司 📅 2023-08-07
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一种深紫外封装器件结构
实用新型 已授权
本实用新型公开了一种深紫外封装器件结构,包括安装座,所述安装座的底部固定连接有多个支撑垫,所述安装座的顶部安装有盒盖,所述安装座和盒盖之间的一侧固定连接有两个合页;所述安装座的底部开设有多个散热孔,所述盒盖的顶部开设有贯穿的矩形孔,所述安装座内安装有基板,所述基板内开设有矩形槽,所述矩形槽内安装有深紫外元件芯片,所述基板的顶部安装有透镜;所述安装座和盒盖之间的另一侧安装有固定组件。本实用新型通过设计简单的固定组件,该固定组件可以快速将安装座和盒盖进行固定,同时也可以快速打开盒盖将深紫外元件芯片取出,从而实现了深紫外元件芯片的检测维修或更换,结构简单,操作方便。
📄 2023220611996 📂 H01L31_0203 👤 江苏南大五维电子科技有限公司 📅 2023-08-02
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发明 已授权

一种具有衬底结构的光电子半导体器件

2021102775334 · 河南城建学院
¥0.0
发明 已授权

一种半导体光电二极管封装结构

2017104960136 · 南通华隆微电子股份有限公司
已申报项目
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发明 已授权

基于面接触的光电探测器及芯片、硅基光子芯片

2023109843736 · 无锡芯光互连技术研究院有限公司
¥0.0
实用新型 已授权

一种深紫外封装器件结构

2023220611996 · 江苏南大五维电子科技有限公司
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