发明专利已授权

一种双结单光子雪崩二极管、探测器及制作方法

📄 申请号：CN202211136469.9 📄 发布日：2026/08/26

著录项目信息

申请日

2022-09-19

公开号

CN115425101B

公开日

2024-04-16

申请人

南京邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0352

IPC 分类号

H01L31_0352 , H01L31_107 , H01L31_11 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件光电子器件单光子探测

应用场景

量子通信, 激光雷达, 医学成像, 光通信, 单光子探测

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摘要

本发明公开了一种双结单光子雪崩二极管，该二极管的特点是在器件中形成双雪崩区，利用重掺杂n型埋层和高压p阱形成的PN结作为深雪崩区，高压p阱和n阱形成浅雪崩区。该双结二极管结构能够提高对近红外光子的探测效率，提高器件整体的光子探测效率，实现单光子的宽光谱响应，为实现低成本、高探测效率的激光测距、三维成像等提供可行的方案。本发明还公开一种双结单光子雪崩二极管探测器及制作方法。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

蒽衍生物咔唑大环化合物、其制备方法及碘阴离子的检测方法

当前第 / 件

一种可调控偏振发光模式的发光二极管

同领域国内专利 · IPC: (H01L31_0352)

H01L31_02 H01L31_0203 H01L31_0216 H01L31_0224 H01L31_0232 H01L31_0236 H01L31_0264 H01L31_0304 H01L31_032 H01L31_0336 H01L31_0352 H01L31_0392 H01L31_04 H01L31_043 H01L31_0445 H01L31_048 H01L31_049 H01L31_05 H01L31_052 H01L31_054 H01L31_055 H01L31_056 H01L31_068 H01L31_07 H01L31_072 H01L31_0725 H01L31_078 H01L31_08 H01L31_09 H01L31_101 H01L31_102 H01L31_103 H01L31_105 H01L31_107 H01L31_108 H01L31_109 H01L31_111 H01L31_112 H01L31_113 H01L31_115 H01L31_18 H01L31_20 覆盖42个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：3 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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