本实用新型提供了一种扇形硅漂移探测器，包括基底，基底的上表面为收集面，基底的下表面为入射面；收集面的中心是收集阳极，以收集阳极为中心向外依次设置有收集面漂浮阴极环、收集面内环加压环，收集面内环加压环、收集阳极、收集面漂浮阴极环之间同心；收集面内环加压环外围设置有扇形单元，扇形单元之间设有表面电子排出通道；扇形单元外侧设置有环形保护阳极；入射面包括入射面窗口、入射面阴极加压环和入射面保护环，入射面阴极加压环内部为入射窗口，入射面阴极加压环外侧为入射面保护环。解决了现有技术中存在的表面漏电流会被阳极收集、对于不同角度的扇形结构无法实现拼接等问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2022211187859
📂 H01L31_115
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2022-05-10
本实用新型提供了一种多段式阳极等间距分布的硅漂移室探测器，包括高阻硅衬底，中心收集阳极嵌入于高阻硅衬底正面中心，由中心收集阳极向外依次等间距分布有中间位置收集阳极环、最外收集阳极环；阴极环位于中心收集阳极与最外收集阳极环之间且中间位置收集阳极环将阴极环分隔为内外两部分；中心阳极保护环位于中心收集阳极外和最内圈的阴极环之间，正面保护环位于最外收集阳极环外；中心阳极保护环和正面保护环均环绕中心收集阳极同心分布；高阻硅衬底反面为粒子入射窗口。本实用新型探测器的电子漂移路径短，探测器电容小，具有较高的电子收集效率，能够达到最佳分辨率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2022210272604
📂 H01L31_115
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2022-04-28
本发明提供了一种扇形硅漂移探测器，包括基底，基底的上表面为收集面，基底的下表面为入射面；收集面的中心是收集阳极，以收集阳极为中心向外依次设置有收集面漂浮阴极环、收集面内环加压环，收集面内环加压环、收集阳极、收集面漂浮阴极环之间同心；收集面内环加压环外围设置有扇形单元，扇形单元之间设有表面电子排出通道；扇形单元外侧设置有环形保护阳极；入射面包括入射面窗口、入射面阴极加压环和入射面保护环，入射面阴极加压环内部为入射窗口，入射面阴极加压环外侧为入射面保护环。解决了现有技术中存在的表面漏电流会被阳极收集、对于不同角度的扇形结构无法实现拼接等问题。本发明还提供了一种扇形硅漂移探测器的制备方法。
📄 2022105113585
📂 H01L31_115
👤 湖南脉探芯半导体科技有限公司
📅 2022-05-10
本发明一种基于钙钛矿材料的X射线探测器及其制备方法，所述方法包括：步骤1，按照摩尔比为3：2称取AI和BI3原料，溶于有机溶剂中，得到混合前驱体液；其中，AI为CsI，CH3NH3I或RbI；BI3为BiI3或SbI3；步骤2，将混合前驱体液密封，加热到60-100℃，保持2～48小时，使其达到充分的溶解平衡后取上清液，得到前驱体的完全饱和溶液；步骤3，将前驱体的完全饱和溶液置于比步骤2中加热终止温度低的环境温度下，以小于5℃/day的速度逐渐升温，直至晶体析出，温度继续增加最多10℃后停止升温，得到A3B2I9钙钛矿单晶；步骤4，将单晶晶体取出并烘干；步骤5，在单晶晶体表面蒸镀叉指金属电极。
📄 2019109602061
📂 H01L31_115
👤 陕西师范大学
📅 2019-10-10
一种适用于高温环境的X射线探测器及其制备方法，采用A3Bi2X9型全无机铋基卤素钙钛矿单晶材料作为探测X射线的活性层，其中，A为Cs+和Rb+中的一种；X为I-，Br-和Cl-中的一种或者多种混合；工作温度为50-150℃。制备方法包括如下步骤，步骤1，将A3Bi2X9型全无机铋基卤素钙钛矿单晶切割成需要的尺寸，其中，A为Cs+和Rb+中的一种；X为I-，Br-和Cl-中的一种或者多种混合；步骤2，将切割后的A3Bi2X9型钙钛矿单晶进行清洗和表面抛光处理；步骤3，在步骤2得到的A3Bi2X9型钙钛矿单晶两端蒸镀金属电极，得到金属电极、A3Bi2X9型钙钛矿单晶和金属电极层叠的X射线探测器。A3Bi2X9型全无机铋基卤素钙钛矿单晶作为适用于高温环境的X射线探测器的活性层，高温环境的温度为50-150℃。
📄 2020102033626
📂 H01L31_115
👤 陕西师范大学
📅 2020-03-20
本发明公开了一种全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器及制备方法，依次在处理好的FTO导电玻璃衬底上旋涂TiO2溶胶前驱体，得到致密的TiO2电子传输层；然后利用溶液法生长微米级的CsPbIxCl3‑x钙钛矿纳米线，并制备光电探测器。器件结构自上而下包括玻璃衬底、FTO电极、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和电极。本发明基于CsPbIxCl3‑x纳米线碳基钙钛矿光电探测器同时具有高灵敏度，快速响应和良好的稳定性，在300～520nm范围内具皮秒级的暗电流和0.2A/W的优异光电探测度。
📄 2020107256974
📂 H01L31_115
👤 西安纳智光研科技有限公司
📅 2020-07-24
本发明公开了一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管的日盲紫外探测器及制作方法，探测器包括漏极、源极、第一半导体层、第二半导体层、位于第一和第二半导体界面处的二维电子气、衬底及缓冲层、TiO2悬浮栅极以及Ti金属层，其中，第一半导体层的下表面设置第二半导体层；第二半导体层的下方设置衬底及缓冲层；TiO2悬浮栅极位于第一半导体层的上表面，且处于所述源极和漏极之间；源极和漏极位于第一半导体层的上表面的两侧；源极和漏极与第一半导体形成欧姆接触；第一半导体层和第二半导体层之间形成异质结沟道，并由于极化作用产生高密度的二维电子气。本发明的紫外探测器具有高灵敏度的紫外探测性能，响应快、制作方法简单、稳定性好。
📄 2019112592027
📂 H01L31_112
👤 杭州电子科技大学
📅 2019-12-10
本发明提供了一种宽波段自驱动线偏振灵敏光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域，包括基底，以及设置在所述基底上的ZrS3层和ReSe2层，ZrS3层和ReSe2层之间部分重合形成ZrS3/ReSe2范德华异质结，光电探测器的源极设置在ReSe2层上，漏极设置在ZrS3层上，栅极设置在基底背面。本发明提供的光电探测器同时具有宽波段、自驱动、线偏振灵敏特性，能够提高光电探测器的性能和适用性。
📄 2024109769215
📂 H01L31_113
👤 齐鲁工业大学(山东省科学院)
📅 2024-07-22
本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种具有正负双极性响应特性的光电探测器及其制备方法，包括基底以及设置在所述基底上的二硫化铼/二硒化钯范德华异质结；所述光电探测器的源极和漏极设置在二硒化钯长度方向的两端，栅极设置在远离所述二硫化铼/二硒化钯范德华异质结的基底侧一侧；将二硫化铼作为光栅控制层，将二硒化钯作为载流子传输层，通过调节栅极电压实现光电探测器的正响应与负响应转换；当栅极电压不超过栅极电压阈值时，光电探测器呈现负响应，当栅极电压超过栅极电压阈值时，光电探测器呈现正响应。
📄 2023117918274
📂 H01L31_113
👤 齐鲁工业大学(山东省科学院)
📅 2023-12-22
本发明公开了一种大动态响应范围紫外光电探测器，包括光电导区，光电导区的上端依次设有Si富集层和栅调制区，栅调制区的两端均设有隔离区和阴极；光电导区的下端设有光入射区，光入射区的中部被开设在光电导区底部中心处的凹槽断开，凹槽相对两侧的光入射区为n型重掺杂GaN光入射区，n型重掺杂GaN光入射区的两端分别设有阳极。本发明还公开了一种大动态响应范围紫外光电探测器的制作方法，本发明提供的该紫外光电探测器能实现强弱光快速转换场景下的高频探测。
📄 2022106722379
📂 H01L31_112
👤 西安理工大学
📅 2022-06-14
本发明公开了一种光晶体管集成传感核心的无光栅量子点光谱探测器，包括基底、栅电极、栅绝缘层、源电极、P型有源层、I型量子点感光层、N型半导体层、漏电极，其中不同波段的量子点可用于为不同像素的晶体管探测器。利用栅极作为行扫描线，通过源漏极作为信号读取线路读取光谱信号，并利用与背景光电信号的差值实现被测物的光谱测量。本发明解决了传统光谱探测器光学分光组件体积过大，光电信号读取分离以及探测波段局限等系列难题，实现了利用量子点的窄带宽光电响应特点以及薄膜晶体管(TFT)光电集成度高的优势，制造出不需要光栅分光的量子点晶体管型的光谱探测器。
📄 2021102425580
📂 H01L31_113
👤 良储科技(昆山)有限责任公司
📅 2021-03-04
本发明公开了一种人工突触晶体管阵列，由下到上依次设置有衬底层、沟道层和电极层。本发明的人工突触晶体管阵列通过在所述衬底层上依次设置所述沟道层和所述电极层，并利用所述衬底层的硅作为背栅结构，利用将所述沟道层的材料为大面积均匀的多层二硫化钼，使晶体管可以实现阵列化且可以工作在可见光和近红外光波段，且二硫化钼富含缺陷态，可以增强载流子的束缚，实现强突触可塑性、高敏感性和低功耗。因此使得人工突触晶体管集传感‑存储‑预处理功能为一体，从而可以实现对人眼感知和人脑存储的模拟。
📄 2021104618111
📂 H01L31_113
👤 电子科技大学
📅 2021-04-27
柿子坊 · 知识产权运营
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