发明专利已授权

一种可调控偏振发光模式的发光二极管

📄 申请号：CN202211412638.7 📄 发布日：2026/08/26

著录项目信息

申请日

2022-11-11

公开号

CN116111012B

公开日

2024-05-24

申请人

南京邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_02

IPC 分类号

H01L33_02 , G02B5_30 ,

技术画像

所属领域

发光二极管发光二极管光电子器件偏振光学

应用场景

显示技术, 光通信, 光学传感, 防伪标识, 照明

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摘要

本发明公开了一种可调控偏振发光模式的发光二极管，依次连接的p型电极、第一p型半导体层、第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层、衬底层和n型电极，所述p型电极、n型电极与第一p型半导体层的长度相等，第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层与衬底层的长度相等。本发明发光二极管通过改变结构使出射光以TM偏振光为主，增大出射光的发光强。

常见问题

这项专利是否已经下证？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

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图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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